[發明專利]一種可實現電壓信號無損失傳遞的模擬開關電路在審
| 申請號: | 201410076652.3 | 申請日: | 2014-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN103905022A | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發明(設計)人: | 劉成軍 | 申請(專利權)人: | 東莞博用電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/687 | 分類號: | H03K17/687 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 周詳 |
| 地址: | 523808 廣東省東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 實現 電壓 信號 損失 傳遞 模擬 開關電路 | ||
技術領域
本發明涉及模擬開關技術領域,尤其涉及一種可實現電壓信號無損失傳遞的模擬開關電路。
背景技術
模擬開關主要是完成信號鏈路中的信號切換功能,大多采用MOS管的開關方式實現了對信號鏈路關斷或者打開。譬如:用于傳遞電壓信號模擬開關,其通過開關信號來控制關斷或者打開,當開關信號為低電平時,模擬開關關斷,為非信號傳遞過程;當開關信號為高電平時,模擬開關打開,為信號傳遞模式,輸入端的電壓信號可以傳遞至輸出端。
但是,現有技術中的模擬開關不能實現無損失地傳遞電壓信號,尤其在信號接近電源和地時,開關前后的信號失真嚴重。
發明內容
本發明的目的在于針對現有技術的不足而提供一種可保證開關前后的信號有良好的線性度、可實現電壓信號無損失傳遞的模擬開關電路。
為了實現上述目的,本發明提供一種可實現電壓信號無損失傳遞的模擬開關電路,包括NMOS管(即N型MOS管)N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4、NMOS管N5,PMOS管(即P型MOS管)P1、PMOS管P2、PMOS管P3,電容C0,傳輸門SW0,非門NG1、非門NG2、非門NG3;
所述非門NG1輸入端與開關信號EN連接,非門NG1輸出端與非門NG2輸入端連接,非門NG2輸出端與PMOS管P1柵極、NMOS管N1柵極、非門NG3輸入端連接,PMOS管P1源極與電源VDD、PMOS管P2源極、NMOS管N3柵極連接,PMOS管P1漏極與PMOS管P3柵極、NMOS管N1漏極連接,NMOS管N1源極與電容C0負極、傳輸門SW0一端、NMOS管N2漏極連接,非門NG3輸出端與NMOS管N2柵極連接,NMOS管N2源極接地VSS,PMOS管P2漏極與PMOS管P3源極、電容C0正極連接,PMOS管P2柵極與PMOS管P3漏極、NMOS管N5柵極、NMOS管N3源極連接,NMOS管N3漏極與NMOS管N4源極連接,NMOS管N4柵極與開關信號EN_N連接,NMOS管N4漏極接地VSS,NMOS管N5源極與傳輸門SW0另一端、輸入電壓信號VIN連接,NMOS管N5漏極與輸出電壓信號VOUT連接。
較佳地,所述開關信號EN與開關信號EN_N反相。
本發明有益效果在于:
本發明通過各個電子元器件的巧妙連接,使模擬開關電路的輸入電壓信號VIN等于輸出電壓信號VOUT,從而實現電壓信號無損失傳遞,保證開關前后的信號有良好的線性度,使電壓信號傳遞不失真。
附圖說明
圖1為本發明的電路原理圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明作進一步的說明。
請參考圖1,本發明可實現電壓信號無損失傳遞的模擬開關電路,包括NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4、NMOS管N5,PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3,電容C0,傳輸門SW0,非門NG1、非門NG2、非門NG3。
其中,非門NG1輸入端與開關信號EN連接,非門NG1輸出端與非門NG2輸入端連接,非門NG2輸出端與PMOS管P1柵極、NMOS管N1柵極、非門NG3輸入端連接,PMOS管P1源極與電源VDD、PMOS管P2源極、NMOS管N3柵極連接,PMOS管P1漏極與PMOS管P3柵極、NMOS管N1漏極連接,NMOS管N1源極與電容C0負極、傳輸門SW0一端、NMOS管N2漏極連接,非門NG3輸出端與NMOS管N2柵極連接,NMOS管N2源極接地VSS,PMOS管P2漏極與PMOS管P3源極、電容C0正極連接,PMOS管P2柵極與PMOS管P3漏極、NMOS管N5柵極、NMOS管N3源極連接,NMOS管N3漏極與NMOS管N4源極連接,NMOS管N4柵極與開關信號EN_N連接,NMOS管N4漏極接地VSS,NMOS管N5源極與傳輸門SW0另一端、輸入電壓信號VIN連接,NMOS管N5漏極與輸出電壓信號VOUT連接。
其中,開關信號EN與開關信號EN_N反相。即如果開關信號EN為高電平(邏輯1),則開關信號EN_N為低電平(邏輯0)。
假設電容C0負極電壓為V1、電容C0正極電壓為V2、NMOS管N3源極電壓為V3、NMOS管N4源極電壓為V4、PMOS管P3柵極電壓為V5,則本發明的工作原理,如下:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東莞博用電子科技有限公司,未經東莞博用電子科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410076652.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





