[發明專利]半導體裝置及其制造方法有效
| 申請號： | 201410076369.0 | 申請日： | 2014-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN104064586B | 公開（公告）日： | 2018-03-09 |
| 發明（設計）人： | 太田千春;清水達雄;西尾讓司;四戶孝 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L29/16 | 分類號： | H01L29/16;H01L29/167;H01L21/04 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司72002 | 代理人： | 王靈菇,白麗 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置，其具備：
具有第一面和第二面的n型SiC襯底、
設置在所述第一面上的SiC層、
設置在所述第一面側的第一電極、和
設置在所述第二面上的第二電極；
其中，所述n型SiC襯底含有p型雜質和n型雜質，當將所述p型雜質記為元素A、將所述n型雜質記為元素D時，所述元素A與所述元素D的組合為Al(鋁)、Ga(鎵)或In(銦)與N(氮)的組合以及B(硼)與P(磷)的組合中的至少一種組合，構成所述組合的所述元素A的濃度與所述元素D的濃度之比為0.50以上且小于0.95，構成所述組合的所述元素D的濃度為1×1018cm-3以上且1×1022cm-3以下。
2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述元素A的濃度與所述元素D的濃度之比為0.50以上且0.75以下。
3.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述元素D的濃度為6×1020cm-3以上。
4.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述元素D的施主能級為40meV以下。
5.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述元素A的90％以上位于最接近所述元素D的晶格位置。
6.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，
準備具有第一面和第二面的n型SiC襯底、
在所述第一面上形成SiC層、
在所述第一面側形成第一電極、且
在所述第二面上形成第二電極；
其中，所述n型SiC襯底含有p型雜質和n型雜質，當將所述p型雜質記為元素A、將所述n型雜質記為元素D時，所述元素A與所述元素D的組合為Al(鋁)、Ga(鎵)或In(銦)與N(氮)的組合以及B(硼)與P(磷)的組合中的至少一種組合，構成所述組合的所述元素A的濃度與所述元素D的濃度之比為0.50以上且小于0.95，構成所述組合的所述元素D的濃度為1×1018cm-3以上且1×1022cm-3以下。
7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述元素A的濃度與所述元素D的濃度之比為0.50以上且0.75以下。
8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述元素D的濃度為6×1020cm-3以上。
9.如權利要求6所述的方法，其特征在于，n型SiC襯底通過使用CVD法的外延生長來形成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社東芝，未經株式會社東芝許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410076369.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
