[發明專利]一種阻變存儲器結構及其制備方法無效
| 申請號： | 201410075803.3 | 申請日： | 2014-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN103824938A | 公開（公告）日： | 2014-05-28 |
| 發明（設計）人： | 王欣然;錢敏 | 申請（專利權）人： | 南京大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 姚亮 |
| 地址： | 210093*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 存儲器 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種阻變存儲器結構，其中，該阻變存儲器結構的底電極和/或頂電極為石墨烯。
2.根據權利要求1所述的阻變存儲器結構，其中，該阻變存儲器結構包括襯底、底電極、阻變層、頂電極；
所述底電極設于所述襯底之上；
所述阻變層設于所述底電極之上；
所述頂電極設于所述阻變層之上。
3.根據權利要求2所述的阻變存儲器結構，其中，該阻變存儲器結構還包括一接觸電極，該接觸電極設置于底電極的兩端。
4.根據權利要求2所述的阻變存儲器結構，其中，該阻變存儲器結構還包括一緩沖層，該緩沖層設于所述底電極與所述阻變層之間。
5.根據權利要求4所述的阻變存儲器結構，其中，所述緩沖層的厚度在10nm以下；優選地，所述緩沖層的材質為Pd和/或Pt。
6.根據權利要求2所述的阻變存儲器結構，其中，所述襯底為玻璃襯底、藍寶石襯底、石英襯底、塑料襯底、硅襯底或者聚萘二甲酸乙二醇酯襯底。
7.根據權利要求2所述的阻變存儲器結構，其中，所述阻變層的材料為TiO2、Ta2O5、Al2O3、HfO2中的一種或幾種的組合；優選地，所述阻變層的厚度為5-100nm，更優選為30nm。
8.根據權利要求1或2所述的阻變存儲器結構，其中，所述石墨烯為厚度在100nm以下的石墨烯薄膜；優選地，所述石墨烯為厚度在3nm以下的石墨烯薄膜。
9.根據權利要求2所述的阻變存儲器結構，其中，所述頂電極為導電金屬或導電薄膜，優選5nm厚的Ti層和50nm厚的Pt層。
10.權利要求1-9任一項所述的阻變存儲器結構的制備方法，其包括利用石墨烯制備阻變存儲器結構的底電極和/或頂電極的步驟。
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