[發明專利]數據儲存裝置以及快閃存儲器控制方法

有效

• 申請號: 201410075693.0
• 申請日: 2014-03-03
• 公開（公告）號: CN104679672B
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 吳佳謙;林瑜智;林彥宏
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G06F12/16
• 分類號: G06F12/16
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 徐潔晶

技術領域

本發明是有關于數據儲存裝置，特別有關于快閃存儲器(FLASH memory)控制方法。

背景技術

快閃存儲器是一種常見的非揮發性存儲器，采電性抹除與編程。以與非門型的快閃存儲器(即NAND FLASH)為例，常用作存儲卡(memory card)、通用序列總線閃存裝置(USB flash device)、固態硬盤(SSD)…等產品，或實現成一嵌入式快閃存儲器模塊(eMMC)?？扉W存儲器所提供的儲存陣列是呈多個區塊(blocks)。各區塊包括多個頁(pages)。若欲釋放一區塊為閑置區塊(spare block)，整個區塊的所有頁都必須一同抹除(erase)。

關于數據安全(data security)，快閃存儲器部分區塊可配置為回放保護存儲區塊(replay-protected memory block，簡稱RPMB)，是以較高安全層級管理之。這些回放保護存儲區塊的數據管理尤為重要。

發明內容

本發明揭露一種數據儲存裝置以及一種快閃存儲器控制方法。

根據本發明一種實施方式所實現的一數據儲存裝置包括一控制器以及一快閃存儲器。該快閃存儲器的儲存空間是劃分為多個區塊，各區塊更劃分為多個頁。該控制器耦接該快閃存儲器，以管理該快閃存儲器的回放保護存儲區塊。控制器在將雙頁數據編程入上述回放保護存儲區塊后會將一成功旗標以及一寫入計數載入該快閃存儲器的系統區塊。該控制器可基于上述系統區塊所載的成功旗標或/以及上述回放保護存儲區塊的編程頁數執行一掉電修復程序。

本發明另一種實施方式則揭露一種快閃存儲器控制方法，用以管理一快閃存儲器上的至少一回放保護存儲區塊。所述控制方法是在雙頁數據編程入上述回放保護存儲區塊后將一成功旗標以及一寫入計數載入該快閃存儲器的系統區塊。根據所述控制方法，一掉電修復程序是基于上述系統區塊所載的成功旗標或/以及上述回放保護存儲區塊的編程頁數執行。

下文特舉實施例，并配合所附附圖，詳細說明本發明內容。

附圖說明

圖1以方塊圖圖解根據本發明一種實施方式所實現的一數據儲存裝置100；

圖2圖解主機106所發下的回放保護數據是如何由控制器104編程至該快閃存儲器102，其中是設定一變數N為2；

圖3為流程圖，說明所揭露的回放保護存儲區塊更新成功指標RPMB_Update_Success以及寫入計數RPMB_Write_Count如何對應圖2所示的回放保護數據編程而變化；以及

圖4為流程圖，對應圖3圖解一掉電修復程序。

【附圖標記說明】

100～數據儲存裝置；

102～快閃存儲器；

104～控制器；

106～主機；

202～回放保護數據(又稱RPMB數據)；

204～虛置數據；

206、208～第一、第二幀下達的RPMB數據；

RPMB_1…RPMB_N～回放保護存儲區塊；

RPMB_FAT～文件配置表(FAT)區塊；

RPMB_Partition～一空間，包括這些回放保護存儲區塊RPMB_1…RPMB_N；

RPMB_Write_Count～寫入計數；

RPMB_Update_Sucess～回放保護存儲區塊更新成功指標；

S302…S308～步驟；

S402…S410～步驟；

SPO_1…SPO_5～第一…第五突發掉電事件。

具體實施方式

以下敘述列舉本發明的多種實施例。以下敘述介紹本發明的基本概念，且并非意圖限制本發明內容。實際發明范圍應依照權利要求書界定之。

圖1以方塊圖圖解根據本發明一種實施方式所實現的一數據儲存裝置100。數據儲存裝置100包括一快閃存儲器(FLASH memory)102以及一控制器104。控制器104耦接快閃存儲器102，且根據主機106所下達的指令操作該快閃存儲器102。