[發(fā)明專利]一種LED電流紋波消除電路及LED發(fā)光裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410075677.1 | 申請(qǐng)日： | 2014-03-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103889113B | 公開（公告）日： | 2017-01-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 于井亮;胡喬;李照華;周昭珍;黃賴長(zhǎng);林道明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市明微電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H05B37/02 | 分類號(hào)： | H05B37/02 |
| 代理公司： | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所44237 | 代理人： | 張全文 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)高新技*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 led 電流 消除 電路 發(fā)光 裝置 | ||
1.一種LED電流紋波消除電路，其特征在于，所述LED電流紋波消除電路與恒流控制電路及LED負(fù)載連接，所述恒流控制電路的電流輸出端連接所述LED負(fù)載的輸入端，所述LED電流紋波消除電路的輸入端和輸出端分別連接所述LED負(fù)載的輸出端和所述恒流控制電路的回路端；
所述LED電流紋波消除電路包括第一電阻R1、第一電容C1、第二電阻R2及NMOS管M1；所述第一電阻R1的第一端與所述NMOS管M1的漏極的共接點(diǎn)為所述LED電流紋波消除電路的輸入端，所述第一電容C1的第一端與所述第一電阻R1的第二端及所述第二電阻R2的第一端共接于所述NMOS管M1的柵極，所述NMOS管M1的源極與所述第二電阻R2的第二端及所述第一電容C1的第二端共接所形成的共接點(diǎn)為所述LED電流紋波消除電路的輸出端；所述NMOS管M1工作于飽和區(qū)，由所述第一電阻R1、所述第一電容C1及所述第二電阻R2對(duì)所述NMOS管M1的柵極電壓紋波進(jìn)行濾波處理以使所述NMOS管M1減小其漏極的電流紋波。
2.如權(quán)利要求1所述的LED電流紋波消除電路，其特征在于，所述LED電流紋波消除電路還包括第三電阻R3，所述第三電阻R3連接于所述NMOS管M1的源極與所述第二電阻R2的第二端之間。
3.如權(quán)利要求1或2所述的LED電流紋波消除電路，其特征在于，所述LED電流紋波消除電路還包括鉗位模塊，
所述鉗位模塊包括第四電阻R4、第五電阻R5及PNP型三極管Q1；所述第四電阻R4的第一端與所述PNP型三極管Q1的發(fā)射極共接于所述LED負(fù)載的輸出端，所述第四電阻R4的第二端與所述第五電阻R5的第一端共接于所述PNP型三極管Q1的基極，所述PNP型三極管Q1的集電極和所述第五電阻R5的第二端分別連接所述第一電容C1的第一端和第二端。
4.如權(quán)利要求1或2所述的LED電流紋波消除電路，其特征在于，所述LED電流紋波消除電路還包括鉗位模塊，所述鉗位模塊包括第六電阻R6、第七電阻R7、PMOS管M2及二極管D1；
所述第六電阻R6的第一端與所述PMOS管M2的源極共接于所述LED負(fù)載的輸出端，所述第六電阻R6的第二端與所述第七電阻R7的第一端共接于所述PMOS管M2的柵極，所述PMOS管M2的漏極連接所述二極管D1的陽極，所述二極管D1的陰極和所述第七電阻R7的第二端分別連接所述第一電容C1的第一端和第二端。
5.一種LED發(fā)光裝置，包括恒流控制電路和LED負(fù)載，其特征在于，所述LED發(fā)光裝置還包括LED電流紋波消除電路，所述LED電流紋波消除電路與所述恒流控制電路及所述LED負(fù)載連接，所述恒流控制電路的電流輸出端連接所述LED負(fù)載的輸入端，所述LED電流紋波消除電路的輸入端和輸出端分別連接所述LED負(fù)載的輸出端和所述恒流控制電路的回路端；
所述LED電流紋波消除電路包括第一電阻R1、第一電容C1、第二電阻R2及NMOS管M1；所述第一電阻R1的第一端與所述NMOS管M1的漏極的共接點(diǎn)為所述LED電流紋波消除電路的輸入端，所述第一電容C1的第一端與所述第一電阻R1的第二端及所述第二電阻R2的第一端共接于所述NMOS管M1的柵極，所述NMOS管M1的源極與所述第二電阻R2的第二端及所述第一電容C1的第二端共接所形成的共接點(diǎn)為所述LED電流紋波消除電路的輸出端；所述NMOS管M1工作于飽和區(qū)，由所述第一電阻R1、所述第一電容C1及所述第二電阻R2對(duì)所述NMOS管M1的柵極電壓紋波進(jìn)行濾波處理以使所述NMOS管M1減小其漏極的電流紋波。
6.如權(quán)利要求5所述的LED發(fā)光裝置，其特征在于，所述LED電流紋波消除電路還包括第三電阻R3，所述第三電阻R3連接于所述NMOS管M1的源極與所述第二電阻R2的第二端之間。
7.如權(quán)利要求5或6所述的LED發(fā)光裝置，其特征在于，所述LED電流紋波消除電路還包括鉗位模塊，
所述鉗位模塊包括第四電阻R4、第五電阻R5及PNP型三極管Q1；所述第四電阻R4的第一端與所述PNP型三極管Q1的發(fā)射極共接于所述LED負(fù)載的輸出端，所述第四電阻R4的第二端與所述第五電阻R5的第一端共接于所述PNP型三極管Q1的基極，所述PNP型三極管Q1的集電極和所述第五電阻R5的第二端分別連接所述第一電容C1的第一端和第二端。
8.如權(quán)利要求5或6所述的LED發(fā)光裝置，其特征在于，所述LED電流紋波消除電路還包括鉗位模塊，所述鉗位模塊包括第六電阻R6、第七電阻R7、PMOS管M2及二極管D1；
所述第六電阻R6的第一端與所述PMOS管M2的源極共接于所述LED負(fù)載的輸出端，所述第六電阻R6的第二端與所述第七電阻R7的第一端共接于所述PMOS管M2的柵極，所述PMOS管M2的漏極連接所述二極管D1的陽極，所述二極管D1的陰極和所述第七電阻R7的第二端分別連接所述第一電容C1的第一端和第二端。
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