[發明專利]功率結型場效應管及其制造方法有效
| 申請號: | 201410075476.1 | 申請日: | 2014-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN104900695B | 公開(公告)日: | 2018-04-10 |
| 發明(設計)人: | 祁樹坤 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/78 | 分類號: | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/08 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224 | 代理人: | 鄧云鵬 |
| 地址: | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 功率 場效應 及其 制造 方法 | ||
1.一種功率結型場效應管,其特征在于,包括第一摻雜類型的襯底,三維坐標系中沿Z軸方向位于所述襯底上方的埋層區,沿Z軸方向位于所述埋層區上方的阱區,以及第二摻雜類型的源極、第二摻雜類型的漏極、第一摻雜類型的柵極、第一摻雜類型的結區;所述源極、漏極、柵極及結區位于所述阱區內,所述埋層區包括第二摻雜類型埋層和沿X軸方向位于第二摻雜類型埋層外側的第一摻雜類型埋層,所述阱區包括沿Z軸方向位于所述第二摻雜類型埋層上方的第二摻雜類型阱,和沿Z軸方向位于第一摻雜類型埋層上方且位于第二摻雜類型埋層沿X軸方向外側、沿Z軸方向上方的第一摻雜類型阱,所述結區為多條沿Y軸方向延伸的第一摻雜類型的條形結構,且設于第二摻雜類型阱在第二摻雜類型埋層沿Z軸方向上方的部分內,所述多條條形結構沿X軸方向間隔排列且被所述第二摻雜類型阱分隔開,所述漏極位于第二摻雜類型阱內且位于X軸方向最內側的一條條形結構內側,所述源極位于第二摻雜類型阱內且位于X軸方向最外側的一條條形結構外側,所述柵極位于所述第一摻雜類型阱內且位于源極沿X軸方向內側;所述第二摻雜類型阱位于所述第一摻雜類型埋層沿Z軸方向正上方的部分與第一摻雜類型阱在Y軸方向上呈交錯的叉指排列;所述第一摻雜類型和第二摻雜類型的導電類型相反。
2.根據權利要求1所述的功率結型場效應管,其特征在于,所述第一摻雜類型阱和第二摻雜類型阱內均設有與阱的摻雜類型相同的濃度過渡區,所述源極、漏極、柵極分別設于各自的濃度過渡區內。
3.根據權利要求2所述的功率結型場效應管,其特征在于,所述阱區和埋層的摻雜濃度大于所述襯底,各濃度過渡區的摻雜濃度大于所述阱區,所述源極、漏極及柵極的摻雜濃度大于各自所在的濃度過渡區。
4.根據權利要求1所述的功率結型場效應管,其特征在于,所述多條條形結構沿X軸方向由內向外寬度逐漸增大、間距逐漸減小。
5.根據權利要求1-4中任意一項所述的功率結型場效應管,其特征在于,所述第一摻雜類型為P型,所述第二摻雜類型為N型,所述第一摻雜類型的襯底為P-襯底,所述第一摻雜類型埋層為P型埋層,所述第二摻雜類型埋層為N型埋層,所述第一摻雜類型阱為P阱,所述第二摻雜類型阱為N阱,所述條形結構為P-條,所述源極為N+源極,所述漏極為N+漏極,所述柵極為P+柵極。
6.一種圓型功率結型場效應管,其特征在于,包括第一摻雜類型的襯底,所述襯底上的埋層區,所述埋層區上的阱區,以及第二摻雜類型的源極、第二摻雜類型的漏極、第一摻雜類型的柵極、第一摻雜類型的結區;所述源極、漏極、柵極及結區位于所述阱區內,所述埋層區包括第二摻雜類型埋層和位于第二摻雜類型埋層外側的第一摻雜類型埋層,所述阱區包括位于第二摻雜類型埋層上方的第二摻雜類型阱,和位于第一摻雜類型埋層上方且位于第二摻雜類型埋層外側上方的第一摻雜類型阱,所述結區為多條同心的第一摻雜類型的環狀結構,設于第二摻雜類型阱在第二摻雜類型埋層上方的部分內且被所述第二摻雜類型阱分隔開,所述漏極位于圓型功率結型場效應管的圓心處,所述源極位于第二摻雜類型阱內且位于最外側的一條環狀結構外側,所述柵極位于所述第一摻雜類型阱內且位于源極內側;所述第二摻雜類型阱位于所述第一摻雜類型埋層正上方的部分與第一摻雜類型阱在垂直于徑向的水平方向上呈交錯的叉指排列;所述第一摻雜類型和第二摻雜類型的導電類型相反。
7.根據權利要求6所述的圓型功率結型場效應管,其特征在于,所述第一摻雜類型阱和第二摻雜類型阱內均設有與阱的摻雜類型相同的濃度過渡區,所述源極、漏極、柵極分別設于各自的濃度過渡區內。
8.根據權利要求7所述的圓型功率結型場效應管,其特征在于,所述阱區和埋層的摻雜濃度大于所述襯底,各濃度過渡區的摻雜濃度大于所述阱區,所述源極、漏極及柵極的摻雜濃度大于各自所在的濃度過渡區。
9.根據權利要求6所述的圓型功率結型場效應管,其特征在于,所述多條環狀結構內向外寬度逐漸增大、間距逐漸減小。
10.根據權利要求6-9中任意一項所述的圓型功率結型場效應管,其特征在于,所述第一摻雜類型為P型,所述第二摻雜類型為N型,所述第一摻雜類型的襯底為P-襯底,所述第一摻雜類型埋層為P型埋層,所述第二摻雜類型埋層為N型埋層,所述第一摻雜類型阱為P阱,所述第二摻雜類型阱為N阱,所述環狀結構為P-環,所述源極為N+源極,所述漏極為N+漏極,所述柵極為P+柵極。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于無錫華潤上華科技有限公司,未經無錫華潤上華科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410075476.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種學生用坐姿校正椅
- 下一篇:一種組合式課桌椅
- 同類專利
- 專利分類





