[發明專利]橫向擴散金屬氧化物半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410075277.0
• 申請日: 2014-03-03
• 公開（公告）號: CN104900694A
• 公開（公告）日: 2015-09-09
• 發明（設計）人: 韓廣濤
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種橫向擴散金屬氧化物半導體器件，包括淺溝槽隔離結構和多晶硅柵極，所述多晶硅柵極部分覆蓋于淺溝槽隔離結構上，其特征在于，所述淺溝槽隔離結構上開有凹槽，所述器件還包括與所述多晶硅柵極直接連接且填充入所述凹槽內的延伸部，所述延伸部的材質為半導體材料或金屬材料。

2.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述延伸部為與所述多晶硅柵極一體的多晶硅。

3.根據權利要求1或2所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述延伸部向下伸入所述凹槽的深度為0.1微米-0.7微米，凹槽所在的淺溝槽隔離結構的深度為0.2微米～0.8微米。

4.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述橫向擴散金屬氧化物半導體器件為N溝道橫向擴散金屬氧化物半導體器件。

5.一種橫向擴散金屬氧化物半導體器件的制造方法，包括形成淺溝槽隔離結構的步驟，其特征在于，還包括通過光刻和刻蝕在所述淺溝槽隔離結構上形成凹槽的步驟，和形成多晶硅柵極及與所述多晶硅柵極直接連接且填充入所述凹槽內的延伸部的步驟，所述多晶硅柵極部分覆蓋于淺溝槽隔離結構上，所述延伸部的材質為半導體材料或金屬材料。

6.根據權利要求5所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件的制造方法，其特征在于，所述延伸部為與所述多晶硅柵極一體的多晶硅，所述形成多晶硅柵極及與所述多晶硅柵極直接連接且填充入所述凹槽內的延伸部的步驟，是淀積多晶硅，所述多晶硅延覆蓋在所述淺溝槽隔離結構上的部分填充入所述凹槽內。

7.根據權利要求5或6所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件的制造方法，其特征在于，所述凹槽的深度為0.1微米-0.7微米，凹槽所在的淺溝槽隔離結構的深度為0.2微米～0.8微米。

8.根據權利要求5所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件的制造方法，其特征在于，所述橫向擴散金屬氧化物半導體器件是N溝道橫向擴散金屬氧化物半導體器件。