[發(fā)明專利]一種制備納米銀線的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410075137.3
• 申請日: 2014-03-03
• 公開（公告）號: CN103894620A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳平;程曉丹;陳明富
• 申請（專利權(quán)）人: 上海富信新能源科技有限公司
• 主分類號: B22F9/24
• 分類號: B22F9/24;B82Y40/00
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 梁海蓮

1.一種制備納米銀線的方法，包括如下步驟：

1）單晶硅在丙酮中浸泡5～20分鐘，水洗；

2）將步驟1）中處理好的單晶硅置于濃度為3～6g/L的硝酸銀水溶液中；所述單晶硅與所述硝酸銀水溶液的固液比是0.05～0.1g/mL；

3）加入氫氟酸，在40～60℃條件下密封反應(yīng)1～5小時，其中所述氫氟酸與步驟2）中所述硝酸銀水溶液的體積比為0.2～0.4；

4）對步驟3）中的反應(yīng)產(chǎn)物進(jìn)行水洗、超聲，并用3～8wt%的硝酸水溶液浸泡后，分離出固體并水洗，獲得產(chǎn)物納米銀線。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的單晶硅選自硅粉或硅片，所述硅片的晶型為p型100晶面。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述的硅粉的目數(shù)為40～80目。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述的硅片電阻率為3～8歐/厘米，厚度為150～400nm。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2）中所述硝酸銀的濃度為4～5g/L。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氫氟酸與步驟2）中所述硝酸銀水溶液的體積比為0.2～0.25。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，用3～8wt%的硝酸水溶液浸泡的時間為1-5分鐘。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，用5～6wt%的硝酸水溶液浸泡的時間為1-5分鐘。