[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410074885.X
• 申請(qǐng)日: 2010-09-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103794612B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山崎舜平;小山潤(rùn);今井馨太郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

本發(fā)明的目的是提供具有新結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。公開(kāi)了半導(dǎo)體裝置，其包括第一晶體管，其包括位于含有半導(dǎo)體材料的襯底中的溝道形成區(qū)、溝道形成區(qū)插入之間的雜質(zhì)區(qū)、位于溝道形成區(qū)上的第一柵絕緣層、位于第一柵絕緣層上的第一柵電極、以及電連接至該雜質(zhì)區(qū)的第一源電極和第一漏電極；以及第二晶體管，其包括位于含有半導(dǎo)體材料的襯底上的第二柵電極、位于該第二柵電極上的第二柵絕緣層、位于該第二柵絕緣層上的氧化物半導(dǎo)體層、以及電連接至該氧化物半導(dǎo)體層的第二源電極和第二漏電極。

本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為“2010年9月27日”、申請(qǐng)?zhí)枮椤?01080047028.0”、題為“半導(dǎo)體器件”的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域涉及半導(dǎo)體器件以及該半導(dǎo)體器件的制造方法。注意，此處，半導(dǎo)體器件是指利用半導(dǎo)體特性而起作用的通用元件和器件。

背景技術(shù)

有眾多種類的金屬氧化物，且金屬氧化物具有各種應(yīng)用。氧化銦是眾所周知的材料，且已經(jīng)被用于液晶顯示設(shè)備等中所需要的透明電極。

一些金屬氧化物具有半導(dǎo)體特性。具有半導(dǎo)體特性的金屬氧化物的示例為氧化鎢、氧化錫、氧化銦、和氧化鋅等。已經(jīng)描述了具有由這樣的金屬氧化物中的任意制成的溝道形成區(qū)的薄膜晶體管（見(jiàn)專利文獻(xiàn)1到4以及非專利文獻(xiàn)1等）。

附帶地，不僅是單組分氧化物，還有多組分氧化物也被稱為金屬氧化物。例如，已知同系列化合物InGaO₃(ZnO)_m(m是自然數(shù))是含有In、Ga和Zn的多組分氧化物（如，見(jiàn)非專利文獻(xiàn)2到4等）。

含有這樣的In-Ga-Zn-基氧化物的氧化物半導(dǎo)體也被已知為可應(yīng)用于薄膜晶體管的溝道形成層（如，見(jiàn)專利文獻(xiàn)5、非專利文獻(xiàn)5和6等）。

[參考文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)1]日本公開(kāi)專利申請(qǐng)No.S60-198861

[專利文獻(xiàn)2]日本公開(kāi)專利申請(qǐng)No.H8-264794

[專利文獻(xiàn)3]PCT國(guó)際申請(qǐng)的日本翻譯H11-505377

[專利文獻(xiàn)4]日本公開(kāi)專利申請(qǐng)No.2000-150900

[專利文獻(xiàn)5]日本公開(kāi)專利申請(qǐng)No.2004-103957

[非專利文獻(xiàn)1]M.W.Prins、K.O.Grosse-Holz、G.Muller、J.F.M.Cillessen、J.B.Giesbers、R.P.Weening、和R.M.Wolf，“A ferroelectric transparent thin-filmtransistor（鐵電透明薄膜晶體管）”，Appl.Phys.Lett.，1996年6月17日，68卷，3650-3652頁(yè)

[非專利文獻(xiàn)2]M.Nakamura,N.Kimizuka和T.Mohri，“The Phase Relations inthe In₂O₃-Ga₂ZnO₄-ZnO System at1350℃（在1350℃的In₂O₃-Ga₂ZnO₄-ZnO系統(tǒng)中的相位關(guān)系）”，J.Solid State Chem.,1991,93卷，298-315頁(yè)