[發明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201410074602.1
• 申請日: 2014-03-03
• 公開（公告）號: CN104900649A
• 公開（公告）日: 2015-09-09
• 發明（設計）人: 程偉;李華國;蔡青龍;任馳;許正源
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/423;H01L21/8247;H01L21/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體結構，包括：

基板；

第一柵結構，包括第一柵電極及第一柵介電質，所述第一柵電極設置在所述基板上，所述第一柵介電質覆蓋所述第一柵電極，所述第一柵結構具有一延伸部；

第二柵電極，設置在所述第一柵電極上，并與所述第一柵電極電性隔離，其中所述第一柵結構的所述延伸部延伸超出所述第二柵電極的一側壁；

第三柵電極，相鄰于所述第一柵電極和所述第二柵電極設置，并與所述第一柵電極、所述第二柵電極電性隔離，所述第三柵電極具有一延伸部；以及

保護層，其中所述第三柵電極的所述延伸部位于所述保護層的一下表面和所述第一柵結構的所述延伸部的一上表面之間。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述保護層直接接觸所述第三柵電極。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述保護層包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或碳氮化硅。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括第二柵介電質，將所述第三柵電極與所述第二柵電極電性隔離，其中所述第一柵介電質將所述第三柵電極與所述第一柵電極電性隔離，且所述第一柵介電質和所述第二柵介電質包括氧化物。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括：

頂層，設置在所述第二柵電極上，所述頂層具有接近所述第三柵電極的一側壁；

其中所述保護層是沿著所述頂層的所述側壁設置。

6.根據權利要求5所述的半導體結構，還包括第二柵介電質，將所述第三柵電極與所述第二柵電極電性隔離，其中所述第二柵介電質沿著所述頂層的所述側壁向上延伸于所述頂層的所述側壁和所述保護層之間，且其中所述保護層直接接觸所述第二柵介電質。

7.根據權利要求6所述的半導體結構，其中所述第二柵介電質和所述保護層的一總厚度等于或大于所述第一柵結構的所述延伸部的一總厚度。

8.根據權利要求5所述的半導體結構，其中所述頂層是一復合層。

9.根據權利要求5所述的半導體結構，其中所述頂層具有相對于接近所述第三柵電極的所述側壁的另一側壁，且所述半導體結構還包括：

字符線，相鄰于所述第一柵電極和所述第二柵電極并相對于所述第三柵電極設置；以及

另一保護層，設置在所述字符線上，并且是沿著所述頂層的所述另一側壁設置。

10.根據權利要求1所述的半導體結構，包括第一存儲單元及第二存儲單元，其中所述第一存儲單元和所述第二存儲單元各包括所述第一柵結構、所述第二柵電極、所述第三柵電極及所述保護層，且其中所述第一存儲單元和所述第二存儲單元是以鏡像對稱的方式設置。

11.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述第一柵電極作為浮柵，所述第二柵電極作為控制柵，且所述第三柵電極作為抹除柵。

12.一種用以制造半導體結構的方法，其中所述半導體結構具有存儲單元區和周邊區，所述方法包括：

提供一基板；

在所述存儲單元區于所述基板上形成一堆疊，所述堆疊包括一存儲單元的第一柵結構及第二柵電極，其中所述第一柵結構包括第一柵電極及第一柵介電質，所述第一柵電極形成于所述基板上，所述第一柵介電質覆蓋所述第一柵電極，所述第二柵電極設置在所述第一柵電極上，且所述第一柵結構具有延伸超出所述第二柵電極的一側壁的延伸部；

在所述基板上形成一導電層，所述導電層覆蓋所述堆疊；

移除部分的所述導電層，以形成相鄰于所述第一柵結構和所述第二柵電極的一第三柵電極，其中所述第三柵電極具有一延伸部；以及

在所述第三柵電極上形成一保護層，使得所述第三柵電極的所述延伸部位于所述保護層的一下表面和所述第一柵結構的所述延伸部的一上表面之間。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述堆疊還包括設置在所述第二柵電極上的一頂層，所述頂層具有接近所述第三柵電極的一側壁。