[發明專利]一種熱絲化學氣相沉積技術制備氧化鉬納米帶的方法

無效

• 申請號: 201410074091.3
• 申請日: 2014-03-03
• 公開（公告）號: CN103818960A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發明（設計）人: 陳建軍;王明明;張炬棟;廖欣;柳兆祥;高力
• 申請（專利權）人: 浙江理工大學
• 主分類號: C01G39/02
• 分類號: C01G39/02;B82Y30/00
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 林懷禹

1.一種熱絲化學氣相沉積技術制備氧化鉬納米帶的方法，其特征在于：以硅鉬棒發熱體為基底和鉬源，通過對硅鉬棒發熱體的碳熱還原處理和熱絲化學氣相沉積技術兩步制備α-MoO₃納米帶。

2.根據權利要求1所述的一種熱絲化學氣相沉積技術制備氧化鉬納米帶的方法，其特征在于：所述硅鉬棒發熱體碳熱還原處理，是將碳粉和硅粉置于硅鉬棒發熱體電爐內加熱，在1000～1500℃下進行碳熱還原處理，以除去硅鉬棒表面的氧化硅保護層，同時硅鉬棒發熱體表層生成Mo₂C。

3.根據權利要求1所述的一種熱絲化學氣相沉積技術制備氧化鉬納米帶的方法，其特征在于：所述熱絲化學氣相沉積技術，是以經過碳熱還原處理后的硅鉬棒發熱體為基底和鉬源，在常壓空氣氛圍中，將5?℃/min?加熱電爐到300?℃-400?℃，然后以50?℃/min的速度加熱到600?℃-800?℃?，然后斷電隨爐冷卻，可見大量的α-MoO₃納米帶沉積在硅鉬棒基底上。