[發明專利]顯示單元、制造顯示單元的方法以及電子設備無效
| 申請號: | 201410073898.5 | 申請日: | 2014-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN104037194A | 公開(公告)日: | 2014-09-10 |
| 發明(設計)人: | 中畑祐治 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 單元 制造 方法 以及 電子設備 | ||
1.一種顯示單元,包括:
多個第一電極,被提供給各個像素;
顯示功能層,設置于所述第一電極上;
第二電極,被配置為與所述第一電極一起將驅動電壓施加給所述顯示功能層;
第三電極,被設置為面向所述第二電極并且與所述第二電極電連接;
第一墊片,設置在所述第二電極與所述第三電極之間;以及
第二墊片,設置在所述第二電極與所述第三電極之間,并且具有的高度比所述第一墊片的高度低,
其中,所述第二電極和所述第三電極在包括所述第一墊片的路徑中彼此電連接并且在包括所述第二墊片的路徑中彼此電絕緣。
2.根據權利要求1所述的顯示單元,進一步包括導電膜,
其中,所述第一墊片和所述第二墊片中的每一個均由絕緣材料制成,并且所述第一墊片和所述第二墊片中的每一個的至少一部分表面覆蓋有所述導電膜。
3.根據權利要求2所述的顯示單元,其中,所述導電膜中的面向所述第二墊片的區域被選擇性去除。
4.根據權利要求2所述的顯示單元,其中,所述第二電極和所述第三電極中的一個的面向所述第二墊片的區域被選擇性去除。
5.根據權利要求1所述的顯示單元,其中,所述第一墊片和所述第二墊片中的每一個均由導電材料制成。
6.根據權利要求5所述的顯示單元,其中,所述第二電極和所述第三電極中的一個的面向所述第二墊片的區域被選擇性去除。
7.根據權利要求5所述的顯示單元,進一步包括絕緣膜,所述絕緣膜形成在所述第二墊片與所述第二電極或所述第三電極的各相對面中的一方或兩方上
8.根據權利要求1所述的顯示單元,其中,在所述第一墊片與所述第二墊片之間的高度差由所述第一墊片的基礎層的厚度形成。
9.根據權利要求8所述的顯示單元,其中,所述基礎層是包括兩層或多層濾色片層和黑色矩陣層的疊層薄膜。
10.根據權利要求1所述的顯示單元,其中,整體地形成所述第一墊片和所述第二墊片。
11.根據權利要求1所述的顯示單元,其中,與包括所述像素的有效顯示區域中相比,在所述有效顯示區域的外圍區域中,所述第一墊片和所述第二墊片中的每一個的布置的密度更低。
12.根據權利要求1所述的顯示單元,其中,所述顯示功能層是有機電致發光層,并且在所述第二電極與所述第三電極之間填充密封樹脂。
13.根據權利要求1所述的顯示單元,其中,所述顯示功能層是液晶層。
14.一種制造顯示單元的方法,所述方法包括:
為各個像素形成多個第一電極;
形成顯示功能層;
形成第二電極,所述第二電極被配置為與所述第一電極一起將驅動電壓施加給所述顯示功能層;
形成第三電極,所述第三電極被設置為面向所述第二電極并且與所述第二電極電連接;并且
在所述第二電極與所述第三電極之間形成第一墊片和第二墊片,所述第二墊片具有的高度比所述第一墊片的高度低,
其中,所述第二電極和所述第三電極在包括所述第一墊片的路徑中彼此電連接,并且在包括所述第二墊片的路徑中彼此電絕緣。
15.根據權利要求14所述的制造顯示單元的方法,其中,在形成所述第一墊片和所述第二墊片時,
所述第一墊片和所述第二墊片中的每一個均由絕緣材料構成,
形成導電膜,以覆蓋所形成的第一墊片和所形成的第二墊片中的每一個的表面,并且
選擇性地去除所形成的導電膜的面向所述第二墊片的區域。
16.根據權利要求14所述的制造顯示單元的方法,其中,
在形成所述第一墊片和所述第二墊片時,所述第一墊片和所述第二墊片中的每一個由絕緣材料構成,并且形成導電膜,以覆蓋所形成的第一墊片和所形成的第二墊片中的每一個的表面,并且
在形成所述第二電極和形成所述第三電極兩者中的一個中,選擇性地去除所述第二電極和所述第三電極中的一個的面向所述第二墊片的區域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





