[發(fā)明專利]功率晶體管的開啟驅(qū)動(dòng)電路、關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路及開關(guān)電路無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410073862.7 | 申請(qǐng)日: | 2014-02-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104022764A | 公開(公告)日: | 2014-09-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 理查德·塞繆爾·吉布森 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 控制技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03K17/567 | 分類號(hào): | H03K17/567;H03K17/081 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 陳煒;李德山 |
| 地址: | 英國波*** | 國省代碼: | 英國;GB |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 功率 晶體管 開啟 驅(qū)動(dòng) 電路 開關(guān)電路 | ||
1.一種功率晶體管的開啟驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,包括:
第一電路,所述第一電路包括互相并聯(lián)的電阻和電容,以及
第二電路,所述第二電路包括電阻,所述第二電路與所述第一電路串聯(lián),
其中,所述第一電路的電阻的阻值控制所述功率晶體管的輸出電壓的上升率,所述第二電路控制所述功率晶體管的輸出瞬態(tài)電流,并且其中所述第一電路的電阻的阻值比所述第二電路的電阻的阻值大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率晶體管的開啟驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述開啟驅(qū)動(dòng)電路的功率晶體管采用絕緣柵雙極晶體管IGBT。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率晶體管的開啟驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述第一電路與所述第二電路之間設(shè)有由微處理器控制的開關(guān)。
4.一種功率晶體管的關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,包括:
第一電路,所述第一電路包括與所述功率晶體管串聯(lián)的第一電阻和第二電阻,以及
第二電路,所述第二電路包括與所述第一電路中的第一電阻或第二電阻并聯(lián)的電容,
其中,所述第一電路控制所述功率晶體管的輸出電壓的上升率,所述第二電路控制所述功率晶體管的驅(qū)動(dòng)電壓,并且與所述電容并聯(lián)的所述第一電阻或所述第二電阻的阻值比其它電阻的阻值大。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率晶體管的關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路還包括電容,所述電容設(shè)置在所述第一電阻和所述第二電阻形成的T型網(wǎng)絡(luò)中。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的功率晶體管的關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路的功率晶體管采用絕緣柵雙極晶體管IGBT。
7.一種功率晶體管的開關(guān)電路,其特征在于,包括權(quán)利要求1到3中任一項(xiàng)所述的開啟驅(qū)動(dòng)電路以及權(quán)利要求4到6中任一項(xiàng)所述的關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路。
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