[發(fā)明專利]一種氣相Ag納米顆粒處理的植入體醫(yī)用材料的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410073837.9
• 申請日: 2014-02-28
• 公開（公告）號: CN103816569A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋鳳麒;夏露;王培志
• 申請（專利權(quán)）人: 宋鳳麒
• 主分類號: A61L27/30
• 分類號: A61L27/30;A61L27/54;C23C14/14;C23C14/30
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32249
• 代理人: 陳建和

1.氣相Ag納米顆粒處理的植入體醫(yī)用材料的方法，其特征是步驟如下：

1）準(zhǔn)備醫(yī)用植入材料，并對醫(yī)用植入材料表面進(jìn)行清洗烘干后送入真空沉積臺；

2）采用團(tuán)簇束流的方法產(chǎn)生Ag納米顆粒束流；其中Ag納米顆粒產(chǎn)生室的氣壓在50～200Pa，真空沉積臺處真空度優(yōu)于10^-2Pa；產(chǎn)生的Ag納米顆粒尺寸由Ag蒸汽的供應(yīng)速率、產(chǎn)生室的氣壓控制，覆蓋率由沉積的時間控制；

3）沉積Ag納米顆粒，Ag顆粒直徑在5-100nm之間，達(dá)到略低于30%的覆蓋率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣相Ag納米顆粒處理的植入體醫(yī)用材料的方法，其特征是沉積Ag納米顆粒低于20%的覆蓋率，Ag顆粒直徑在15-60nm之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣相Ag納米顆粒處理的植入體醫(yī)用材料的方法，其特征是在植入體醫(yī)用材料表面直流偏壓，達(dá)到納米顆粒中每原子1eV以上的動能，實(shí)現(xiàn)Ag顆粒的有效附著和耐磨性能改善。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣相Ag納米顆粒處理的植入體醫(yī)用材料的方法，其特征是在對絕緣醫(yī)用植入材料同時采用電子束轟擊，提高Ag納米顆粒與醫(yī)用材料的附著力。