[發明專利]用于硬盤驅動器的垂直記錄介質

在審

• 申請號: 201410073706.0
• 申請日: 2014-02-28
• 公開（公告）號: CN104021801A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發明（設計）人: 阿姆軟德·辛格;鳴林明明;金澤宏;孔文祥
• 申請（專利權）人: 昭和電工HD新加坡有限公司
• 主分類號: G11B5/31
• 分類號: G11B5/31;G11B5/127;G11B5/187
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄭小粵

技術領域

本發明涉及一種具體應用于硬盤驅動器的垂直記錄介質。

背景技術

垂直記錄介質在各種應用中被廣泛采用，特別是在計算機行業中。在垂直磁記錄介質中，位（bit）由一個方向垂直于垂直記錄介質平面的磁場形成，所述垂直記錄介質具有垂直磁化各向異性，通常是在適用的基底上有一層磁性材料。通過采用帶有所述垂直磁性介質的“單極”磁性換能器或“磁頭”實現非常高的線性記錄密度。為支持磁盤驅動器容量的增長，需要不斷努力以進一步提高記錄密度。為了提高記錄密度，需要具有（i）高度熱穩定性、（ii）低噪聲和（iii）磁頭與磁盤間距減小的垂直記錄介質。

隨著技術的進步，垂直記錄正在發展向更高的數據率，這就需要更高的工作頻率。隨著頻率的提高，可寫性和信號強度將會顯著降低，因此改善高頻響應十分重要，特別是對于高數據速率程序更是如此。

發明內容

本發明給出了改善高頻區響應的若干種方法。通過采用富氧化物磁性層和高壓隔層實現良好的隔離，這可有助于在垂直磁記錄介質中提供良好的隔離。

考慮到前述內容，在第一個方面，本發明提供了一種應用于硬盤驅動器中的垂直記錄介質。所述垂直記錄介質可能包含在基底上形成的籽晶層，在籽晶層上形成的軟磁底層，隨后是取向控制層、中間層和記錄層。垂直記錄介質還包括閃存層，其包括位于中間層與記錄層之間的富氧化物磁性層。該閃存層為后續在其上形成的磁性層提供了良好的隔離平臺。中間層可能包含釕（Ru）。中間層的厚度和壓力也會影響記錄介質的整體隔離效果。

從以下詳細說明和所附權利要求中可以清楚地了解本發明的其他特征和優勢。

本發明提供了一種垂直記錄介質，包括：其上形成有籽晶層的基底；在所述籽晶層上形成的軟磁底層；在所述軟磁底層上形成的取向控制層；在所述取向控制層上形成的中間層；在所述中間層上形成的閃存層，所述閃存層包括一種氧化物；以及包括在所述閃存層上形成的記錄層。有利的是，所述閃存層內的所述氧化物形成一個有隔離作用的邊界，以影響所述記錄層內的晶粒間的交換耦合。

閃存層內的氧化物的體積含量約占30%至50%，閃存層的厚度在約0.5nm至約1nm之間，閃存層的壓力在約5Pa至約10Pa之間。閃存層優選被配置為使閃存層的增加的厚度可改善垂直記錄介質的高頻響應。閃存層還優選被配置為使閃存層的增加的壓力可改善垂直記錄介質的高頻響應。閃存層優選被配置為使閃存層的增加的厚度可降低垂直記錄介質內的團簇尺寸。閃存層優選被配置為使閃存層的增加的壓力可降低垂直記錄介質中的團簇尺寸。

中間層的厚度在約7nm至約10nm之間，中間層的壓力在約10Pa至約16Pa之間。中間層被優選配置為使在中間層增加的壓力可改善垂直記錄介質的高頻響應。中間層優選被配置為使在中間層增加的壓力可降低團簇尺寸。

閃存層優選包括：第一磁性層，所述第一磁性層具有高的各向異性常數（Ku），和厚度在約1nm至約2nm之間的的晶粒邊界；還包括在第一磁性層上形成的第二磁性層，所述第二磁性層具有比第一磁性層低的Ku值，和比第一磁性層薄的晶粒邊界。閃存層優選在垂直記錄介質的中間層上形成。第一磁性層和第二磁性層的壓力在約3Pa至約7Pa之間。

附圖說明

以下將通過示例參照附圖對本發明進行介紹，其中：

圖1示出了本發明的垂直記錄介質的示意圖；

圖2示出了根據本發明的一個實施例的ΔROW隨閃存層和中間層的厚度和壓力的變化情況；

圖3示出了根據本發明的另一個實施例的團簇尺寸（Dn）隨開關場分布（dHc/Hc）的變化情況。

具體實施方式

以下將參照圖1至3對根據本發明的垂直記錄介質100的示例性實施例進行說明。

如圖1所示，本發明的垂直記錄介質100的結構的第一個實施例包括一個在基底10上形成的籽晶層20。在籽晶層20上形成有一個軟磁底層30。軟磁底層30可能包括第一軟磁底層32和第二軟磁底層34，在第一軟磁底層32與第二軟磁底層34之間提供有一個抗摩擦涂層（AFC）層33。應該理解的是，AFC層33可以是可選的。在軟磁底層30上形成有一個取向控制層40。在取向控制層40上形成有一個中間層50。在中間層50上形成有一個閃存層60。此外，隨后還在閃存層60上分別形成記錄層70、保護層80和潤滑層90。

基底10優選由鋁合金制成。在其他實施例中，基底10可能由玻璃、硅或碳化硅等材料制成。基底10的平均表面粗糙度優選不應大于約0.3nm，且不應小于約0.1nm。