[發明專利]改善IGBT關斷性能的電路有效
| 申請號： | 201410073568.6 | 申請日： | 2014-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN104883167B | 公開（公告）日： | 2017-11-03 |
| 發明（設計）人： | 曹琳 | 申請（專利權）人： | 西安永電電氣有限責任公司 |
| 主分類號： | H03K17/567 | 分類號： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 710016 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 igbt 性能 電路 | ||
1.一種改善IGBT關斷性能的電路，其特征在于，所述改善IGBT關斷性能的電路包括：IGBT、電流變化檢測電路、以及柵極電阻變化電路，所述IGBT與第一電阻相串聯；
所述電流變化檢測電路包括：第一晶體管、電容器、分流電阻，所述第一晶體管與所述電容器相串聯，且與所述分流電阻相并聯，且所述電容器位于所述第一晶體管的基極和所述分流電阻之間，所述第一晶體管的基極和集電極分別與供電端和輸出端相連接，所述基極和供電端之間連接有第二電阻，所述集電極和輸出端之間連接有第三電阻；
所述柵極電阻變化電路包括：第二晶體管、第三晶體管、二極管、第四電阻、以及第五電阻；所述第四電阻與所所述第一電阻相串聯，且所述第四電阻的兩端并聯有第二晶體管和二極管，所述第二晶體管和二極管之間相互串聯，所述第二晶體管的基極串聯有所述第五電阻和第三晶體管，所述第三晶體管的基極與第一晶體管的集電極相連接，且所述第三晶體管的發射極接地。
2.根據權利要求1所述的改善IGBT關斷性能的電路，其特征在于，所述電流變化檢測電路檢測到關斷時的電流減小時，所述柵極電阻變化電路中第二晶體管由開通狀態轉換為截止狀態，所述第三晶體管由截止狀態轉換為開通狀態。
3.根據權利要求1所述的改善IGBT關斷性能的電路，其特征在于，所述IGBT開通時，IGBT柵極電阻的阻值為第一電阻的阻值，所述IGBT關斷時，IGBT柵極電阻的阻值為第一電阻和第四電阻的阻值之和。
4.根據權利要求1所述的改善IGBT關斷性能的電路，其特征在于，所述IGBT開通時，所述柵極電阻變化電路中的第四電阻被第二晶體管短路，所述IGBT關斷時，所述第一電阻和第四電阻形成柵極電阻。
5.根據權利要求1所述的改善IGBT關斷性能的電路，其特征在于，所述電流變化檢測電路檢測的電流變化速率與所述第二電阻的阻值和電容器的電容相對應。
6.根據權利要求1所述的改善IGBT關斷性能的電路，其特征在于，所述第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管為三極管。
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