[發(fā)明專利]一種碳化硅表面處理方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410072719.6
• 申請(qǐng)日: 2014-02-28
• 公開（公告）號(hào): CN104882365B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭麗偉;蘆偉;賈玉萍;郭鈺;李治林;陳小龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院物理研究所
• 主分類號(hào): H01L21/04
• 分類號(hào): H01L21/04
• 代理公司: 北京泛華偉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11280
• 代理人: 王勇,王博

1.一種用于碳化硅的表面處理方法，包括：

1)將碳化硅粉末以及具有待處理表面的碳化硅晶體放置在真空腔中；

2)使所述碳化硅粉末被加熱至第一溫度以使其分解從而形成富Si氣氛，至少使所述碳化硅晶體的所述待處理表面位于所述富Si氣氛中，并使所述碳化硅晶體被加熱至第二溫度，以使所述碳化硅晶體的所述待處理表面與所述富Si氣氛發(fā)生刻蝕反應(yīng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一溫度在1000℃與2000℃之間，所述第二溫度在1000℃與2000℃之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一溫度大于等于所述第二溫度，所述第一溫度與所述第二溫度之間的差小于500℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中發(fā)生刻蝕反應(yīng)時(shí)，所述真空腔內(nèi)的氣壓小于10⁴Pa。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中發(fā)生刻蝕反應(yīng)時(shí)，所述真空腔的氣壓為10^-4Pa至10Pa之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述碳化硅粉末的平均粒徑小于1毫米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中對(duì)所述碳化硅粉末的加熱由第一加熱器完成，對(duì)所述碳化硅晶體的加熱由第二加熱器完成，所述第一、第二加熱器的溫度可相互獨(dú)立地控制。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中對(duì)所述碳化硅粉末的加熱和對(duì)所述碳化硅晶體的加熱由同一加熱器完成，所述碳化硅粉末與所述碳化硅晶體分別放置在所述加熱器的兩個(gè)溫度相同或兩個(gè)溫度不同的溫區(qū)中。