[發(fā)明專利]一種磷化銦基異質(zhì)結(jié)晶體管亞微米發(fā)射極的制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410072313.8
• 申請日: 2014-03-03
• 公開（公告）號: CN103871858A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 牛斌;王元;程偉;趙巖
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團公司第五十五研究所
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/033;H01L21/331
• 代理公司: 南京君陶專利商標代理有限公司 32215
• 代理人: 沈根水

1.一種磷化銦基異質(zhì)結(jié)晶體管亞微米發(fā)射極的制作方法，其特征是該方法包括以下步驟：

1）在磷化銦基異質(zhì)結(jié)晶體管外延材料上依次蒸發(fā)發(fā)射極金屬Ti、Pt、Au，每層材料厚度范圍為10納米到1微米；

2）在發(fā)射極金屬上淀積SiO₂薄膜，厚度范圍為10納米到1微米；在完成發(fā)射極金屬刻蝕后，利用HF腐蝕液腐蝕SiO₂的同時，即可直接剝離掉SiO₂上面的刻蝕掩膜層；

3）在SiO₂薄膜上蒸發(fā)耐刻蝕金屬層作為發(fā)射極的刻蝕掩膜，厚度范圍為10納米到1微米；

4）涂膠并完成亞微米發(fā)射極圖形光刻工藝；

5）以光刻膠為刻蝕掩膜，利用ICP刻蝕金屬掩膜層，然后去除光刻膠；

6）以金屬掩膜層作為刻蝕掩膜，利用ICP刻蝕SiO₂層以及發(fā)射極金屬Ti、Pt、Au；

7）用HF腐蝕液腐蝕SiO₂層并剝離金屬掩膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磷化銦基異質(zhì)結(jié)晶體管亞微米發(fā)射極的制作方法，其特征是以一層耐刻蝕的金屬掩膜層作為ICP刻蝕掩膜，刻蝕發(fā)射極金屬，避免發(fā)射極金屬脫落，同時獲得更為平整的發(fā)射極金屬邊緣。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磷化銦基異質(zhì)結(jié)晶體管亞微米發(fā)射極的制作方法，其特征是所述的金屬掩膜層和發(fā)射極金屬之間加入一層SiO₂層，完成發(fā)射極金屬刻蝕后，通過被HF腐蝕液腐蝕掉SiO₂層，從而剝離金屬掩膜層。