[發明專利]可彎曲晶體硅太陽能組件在審
| 申請號: | 201410072298.7 | 申請日: | 2014-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN103840022A | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發明(設計)人: | 桂裕鵬;邱旭東;桂成新 | 申請(專利權)人: | 蘇州柔印光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048 |
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| 地址: | 215316 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 彎曲 晶體 太陽能 組件 | ||
技術領域
本發明專利涉及可彎曲晶體硅太陽能組件,具體設計一種晶體硅太陽能組件的設計和加工工藝研究。
背景技術
作為一種可再生的清潔能源,太陽能在人們生活中的影響越來越大。目前應用最為廣泛的則是晶體硅太陽能組件,大型電站、小型屋頂系統都是首選晶體硅太陽能組件。但是受限于晶體硅太陽能電池片的剛性,較脆并且易碎的特性,無法應用于某些表面不平整的環境。而目前可彎曲的柔性薄膜太陽能電池片的效率又普遍無法達到人們的需求。
本發明將解決這一難題,利用將晶體硅太陽能電池片與硬質的PCB進行結合,PCB與PCB之間由柔性膠粘材料連接,使整個晶體硅太陽能組件具有較大彎曲幅度,從而使其適應更多的安裝環境。同時,此種方法生產成本低,生產工藝簡單的,具有極大推廣價值。
發明內容
本發明提供一種可彎曲晶體硅太陽能組件的設計技術;
本發明技術方案,其特征在于它是依次按照高透前膜、EVA膠黏劑、晶體硅太陽能電池層、PCB模塊層、EVA膠黏劑以及太陽能背膜的次序在高溫高壓的條件下層壓制成,其關鍵為PCB模塊層由多個PCB模塊連接組成,晶體硅太陽能電池層的太陽能電池片定位在每個PCB模塊之上;
所述的PCB模塊層由厚度在0.5-2mm的PCB模塊組成,PCB模塊的四周為菱形凸起邊,PCB模塊之間由菱形凸起邊的頂點進行連接,同時菱形凸起邊頂點處經過預裁剪處理,在承受一定力度時,即可使PCB模塊之間斷開連接。
所述的晶體硅太陽能電池片之間由涂錫帶進行串聯或者并聯連接,PCB模塊在電連接涂錫帶的位置上均開有槽,防止涂錫帶與PCB摩擦受損。所述PCB模塊尺寸略大于晶體硅太陽能電池片尺寸,可將晶體硅太陽能電池片按照設定間隙電連接形成電池串后,直接定位于整版的PCB模塊上,工藝操作非常方便。
將上述高透前膜、EVA膠黏劑、晶體硅太陽能電池層、PCB模塊層、EVA膠黏劑以及太陽能背膜層壓后的可彎曲晶體硅太陽能組件因為PCB模塊之間連接邊的空隙較大,EVA膠黏劑無法完全填充全部空隙,在PCB模塊連接處會凹陷形成凹槽,在用力對折使PCB之間的連接斷開后,每塊PCB模塊之間就會通過高透前膜、EVA膠黏劑以及太陽能背膜進行柔性連接,使整個可彎曲晶體硅太陽能組件具有很好的柔性。
所述的高透前膜為ETFE膜或者PET膜,具有透光性好、質量輕、耐磨的特點,可有效的保護晶體硅太陽能電池片;所述的EVA膠黏劑為EVA材料,具有良好的透光性和粘結性,保證上下層的粘接可靠度,同時保證PCB模塊之間的連接可靠性;所述的太陽能背膜為:TPT材料或TPE材料,具有很好的阻隔性和耐候性,可保證可彎曲太陽能組件長時間工作。上述ETFE(乙烯-四氟乙烯共聚物)、TPT(聚氟乙烯復合膜)、PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯共聚)、TPE(聚乙烯膜)均為現有技術,此處不再陳述。
所述的可彎曲晶體硅太陽能組件,其特征在于它是根據電性能來選擇電池片為整片還是切割片,排布方式可以是串聯,可以是并聯,也可以串并聯并存,其效果時可達到特定的電壓、電流及功率要求;
本發明專利的制備方法如下:
A:按照已經設定的尺寸設計整版PCB模塊;
B:將晶體硅太陽能電池片按照設定的間隙進行電連接并形成電池串;
C:將整串電池串定位在PCB模塊上;
D:將高透前膜、EVA膠黏劑、與PCB定位好的電池串、EVA膠黏劑、太陽能背膜從上到下依次層疊排布,最后在高溫高壓環境下壓制成可彎曲晶體硅太陽能組件。
上述方法在生產可彎曲晶體硅太陽能組件時,無需使每個電池片單獨與PCB模塊進行定位,只需將電池串與整版PCB模塊進行定位即可,與常規的太陽能組件生產工藝相比,僅增加了一層PCB,同時,PCB的數量越多,可彎曲太陽能組件的柔性越好。
本發明的可彎曲晶體硅太陽能組件設計技術方案采用創新技術,高效實用,工藝簡單,可突破目前晶體硅太陽能組件不可彎曲的局限性以及可彎曲晶體硅組件生產的復雜性,具有較高的社會效益、經濟效益。
附圖說明
本發明專利提供一種可彎曲晶體硅太陽能組件:.
圖1為本發明專利的結構圖。其中:1:高透前膜;2:EVA膠黏劑;3:晶體硅太陽能電池層;4:PCB模塊層:5:太陽能背膜;
圖2為PCB模塊開槽位置示意圖。其中:6:涂錫帶;7:PCB模塊開槽;8:晶體硅太陽能電池片;9:PCB模塊;
圖3為供PCB模塊俯視圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





