[發(fā)明專利]環(huán)形電極微腔激光器

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410072139.7
• 申請(qǐng)日: 2014-02-28
• 公開（公告）號(hào): CN103811997A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂曉萌;鄒靈秀;龍衡;黃永箴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號(hào): H01S5/10
• 分類號(hào): H01S5/10;H01S5/042
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 曹玲柱

1.一種環(huán)形電極微腔激光器，其特征在于，包括：

襯底(100)；

微腔激光器(200)，形成于所述襯底(100)上；

第一導(dǎo)電類型的圖形化電極(300)，其材料為金屬，其形狀呈環(huán)形，形成于所述微腔激光器(200)頂部的外側(cè)邊緣；

第二導(dǎo)電類型的電極，當(dāng)所述襯底(100)為絕緣襯底時(shí)，形成于所述微腔激光器(200)的側(cè)面；當(dāng)所述襯底(100)為導(dǎo)電襯底時(shí)，形成于所述襯底(100)背面或者所述微腔激光器(200)的側(cè)面；

其中，第一導(dǎo)電類型和第二導(dǎo)電類型分別是p型和n型中的其中之一。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)形電極微腔激光器，其特征在于，所述微腔激光器為圓盤形、三角形，正方形，六邊形或者八邊形；

所述第一導(dǎo)電類型的圖形化電極為形成于該圓盤形、三角形，正方形，六邊形或者八邊形微腔激光器頂部的外側(cè)邊緣的環(huán)形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)形電極微腔激光器，其特征在于，所述微腔激光器為圓盤形，所述第一導(dǎo)電類型的圖形化電極為形成于該圓盤形微腔激光器外側(cè)邊緣的圓環(huán)形。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的環(huán)形電極微腔激光器，其特征在于，所述圓環(huán)形的寬度d介于1/8R～1/2R之間，其中，R為微腔激光器的半徑。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的環(huán)形電極微腔激光器，其特征在于，所述R介于1μm到50μm之間，所述第一導(dǎo)電類型的圖形化電極的厚度介于5nm至500μm之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)形電極微腔激光器，其特征在于，所述環(huán)形電極的材料選自于以下材料中的一種或多種組成的合金：Au、Ag、Al、Pt、Cu。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的環(huán)形電極微腔激光器，其特征在于，所述微腔激光器自下而上包括：下限制層(210)、有源層(220)和上限制層(230)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的環(huán)形電極微腔激光器，其特征在于，所述下限制層(210)和上限制層(230)為相同的III-V族材料限制層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的環(huán)形電極微腔激光器，其特征在于，所述有源層的材料為InGaAs、InGaAsP或AlGaInAs。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的環(huán)形電極微腔激光器，其特征在于，所述襯底的材料為：藍(lán)寶石、III-V族材料或IV族材料。