[發(fā)明專利]基于等離子體技術(shù)改善聚偏氟乙烯多孔膜抗污性能的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410070220.1 | 申請日： | 2014-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN103831027A | 公開（公告）日： | 2014-06-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 何春菊;趙新振;馬博謀;秦愛文;劉大朋;李翔 | 申請（專利權(quán)）人： | 東華大學(xué) |
| 主分類號： | B01D71/78 | 分類號： | B01D71/78;B01D71/34;B01D69/02;B01D67/00 |
| 代理公司： | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若瑩 |
| 地址： | 201620 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 等離子體 技術(shù) 改善 聚偏氟 乙烯 多孔 膜抗污 性能 方法 | ||
1.一種基于等離子體技術(shù)改善聚偏氟乙烯多孔膜抗污性能的方法，其特征在于，具體步驟包括：
第一步：將PVDF多孔膜清洗除雜并晾干，置于等離子體儀中進行預(yù)處理；
第二步：將預(yù)處理后的PVDF多孔膜浸泡于目標(biāo)聚合物溶液中進行吸附，晾干；所述的目標(biāo)聚合物溶液中，目標(biāo)聚合物為親水性聚合物，溶劑為水或者酸性水溶液，目標(biāo)聚合物溶液的質(zhì)量濃度為1％～20％；
第三步：將第二步處理后的PVDF多孔膜置于等離子體儀中進行改性處理，并對改性后的PVDF多孔膜進行清洗。
2.如權(quán)利要求1所述的基于等離子體技術(shù)改善聚偏氟乙烯多孔膜抗污性能的方法，其特征在于，所述第一步中的預(yù)處理的處理條件為：膜與電極之間距離為1～10厘米，腔室內(nèi)通入的放電氣體為空氣或者氬氣，放電功率為50～500瓦，處理時間為30～300秒。
3.如權(quán)利要求1所述的基于等離子體技術(shù)改善聚偏氟乙烯多孔膜抗污性能的方法，其特征在于，所述第三步中的改性處理的處理條件為：膜與電極之間距離為1～10厘米，腔室內(nèi)通入的放電氣體為空氣或者氬氣，放電功率為50～500瓦，處理時間為30～300秒。
4.如權(quán)利要求1所述的基于等離子體技術(shù)改善聚偏氟乙烯多孔膜抗污性能的方法，其特征在于，所述第二步中的親水性聚合物為聚乙二醇、聚丙烯酸、聚苯乙烯磺酸鈉和殼聚糖中的至少一種。
5.如權(quán)利要求1所述的基于等離子體技術(shù)改善聚偏氟乙烯多孔膜抗污性能的方法，其特征在于，所述第一步中的PVDF多孔膜為平板膜或者中空纖維膜。
6.如權(quán)利要求1所述的基于等離子體技術(shù)改善聚偏氟乙烯多孔膜抗污性能的方法，其特征在于，所述第二步中的吸附時間為12小時。
7.如權(quán)利要求1所述的基于等離子體技術(shù)改善聚偏氟乙烯多孔膜抗污性能的方法，其特征在于，所述第三步中對改性后的PVDF多孔膜的清洗采用先超聲清洗，后攪拌清洗的方式，清洗溶劑為極易溶解目標(biāo)聚合物的水溶液或者酸性水溶液。
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