[發明專利]背接觸式太陽能電池的制作方法

有效

• 申請號: 201410069201.7
• 申請日: 2014-02-27
• 公開（公告）號: CN103811591A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 胡雁程;陳人杰;吳振誠
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;鮑俊萍

技術領域

本發明是有關于一種太陽能電池的制作方法，特別是有關于一種背接觸式太陽能電池的制作方法。

背景技術

太陽能電池是利用材料的光電效應(photovoltaic?effect)，將環境光能量直接轉換成電能的元件。光線照在物質內部而產生導電載子增加的現象，稱為光電效應。對半導體物質而言，當太陽光照射時，光能將硅原子中的電子激發出來，而產生電子-空穴對，這些電子和空穴均會受到內建電位的影響，分別被n型半導體和p型半導體吸引，而聚集在兩端。此時外部用電極連接起來，形成一個回路。

為了提高太陽能電池的光捕捉效率，背接觸式(back-contact)的太陽能電池亦逐漸受到重視。然而，背接觸式太陽能電池的制作工序可能高達22個步驟，因此，如何減少背接觸式太陽能電池的制作工序以及成本，便成為一個重要的課題。

發明內容

本發明提供了一種背接觸式太陽能電池的制作方法，借由簡化制作的流程而提升生產效率。

本發明的一實施方式提出了一種背接觸式太陽能電池的制作方法，基本上由以下步驟所組成：(a)提供一半導體基板；(b)粗糙化半導體基板的一受光表面；(c)形成多個含磷膏體于半導體基板的一背光表面上；(d)對該半導體基板進行磷離子擴散，使含磷膏體進入半導體基板形成多個n型重摻雜區，以及在半導體基板的受光表面形成一前表面場層，以及在半導體基板的側面與背光表面形成一n型輕摻雜層；(e)移除n型輕摻雜層；(f)形成一前抗反射層于前表面場層上以及形成一背抗反射層于背光表面上；(g)印制多個含鉛銀膠于背抗反射層上，含鉛銀膠的位置對應于n型重摻雜區；(h)印制多個含鉛鋁膠于背抗反射層上，含鉛鋁膠的位置分別對應于背接觸式太陽能電池的多個p型接觸區；以及(i)燒結含鉛銀膠與含鉛鋁膠，以形成多個電極。

本發明的另一實施方式提出了一種背接觸式太陽能電池的制作方法，基本上由以下步驟所組成：(a)提供一半導體基板；(b)粗糙化半導體基板的一受光表面；(c)對半導體基板進行磷離子擴散，以在半導體基板的受光表面形成一前表面場層，以及在半導體基板的側面與背光表面形成一n型摻雜層；(d)移除n型摻雜層；(e)形成多個n型摻雜區于半導體基板的一背光表面；(f)形成多個p型摻雜區于半導體基板的背光表面，其中，p型摻雜區與n型摻雜區不相連；(g)形成一前抗反射層于前表面場層上，以及形成一背抗反射層于背光表面上；(h)印制多個導電膠于背抗反射層，導電膠的位置分別對應于n型摻雜區以及p型摻雜區；以及(i)燒結導電膠，以形成多個電極。

本發明的又一實施方式提出了一種背接觸式太陽能電池的制作方法，基本上由以下步驟所組成：(a)提供一半導體基板；(b)粗糙化半導體基板的一受光表面；(c)形成一阻障層于受光表面；(d)對半導體基板進行一硼離子擴散，以在半導體基板之側面與背光表面形成一p型摻雜層，其中，p型摻雜區與n型摻雜區不相連；(e)移除阻障層；(f)圖案化p型摻雜層，以在背光表面形成交錯排列的多個凹槽與多個p型摻雜區；(g)形成一前表面場層于受光表面上，以及形成多個n型摻雜區于凹槽中；(h)形成一前抗反射層于前表面場層上，以及形成一背抗反射層于背光表面上；(i)印制多個導電膠于背抗反射層，導電膠的位置分別對應于n型摻雜區以及p型摻雜區；以及(j)燒結導電膠，以形成多個電極。

本發明的再一實施方式提出了一種背接觸式太陽能電池的制作方法，基本上由以下步驟所組成：(a)提供一半導體基板；(b)粗糙化半導體基板的一受光表面；(c)形成一前表面場層于受光表面；(d)在半導體基板的一背光表面形成多個n型摻雜區；(e)形成一阻障層于前表面場層上，以及覆蓋于n型摻雜區上；(f)對半導體基板進行一硼離子摻雜，以在半導體基板未被阻障層覆蓋的區域形成多個p型摻雜區；(g)對半導體基板進行退火；(h)移除阻障層；(i)形成一前抗反射層于前表面場層上，以及形成一背抗反射層于背光表面上；(j)印制多個導電膠于背抗反射層，導電膠的位置分別對應于n型摻雜區以及p型摻雜區；(k)燒結導電膠，以形成多個電極；以及(l)在背光表面上形成多個凹槽，以分隔n型摻雜區與p型摻雜區。

此處所指的“基本上由以下步驟所組成”是表示本實施例所提供的方法中，除了以下所提到的步驟之外，不排除如搬運、清洗等常規的工藝步驟。

本發明所提供的背接觸式太陽能電池的制作方法，借由減少光掩膜的使用以及工藝步驟，可以有效提升背接觸式太陽能電池的制作效率。

附圖說明

圖1A至圖1I為本發明背接觸式太陽能電池一實施例的流程圖。