[發明專利]半導體器件和電子裝置

有效

• 申請號: 201410069182.8
• 申請日: 2014-02-27
• 公開（公告）號: CN104037211B
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發明（設計）人: 柳田將志;兼松成
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司11290
• 代理人: 曹正建,陳桂香

1.一種半導體器件，其包括：

器件區域，其具有包括溝道部的半導體層；

器件周邊區域，其鄰接所述器件區域；

柵極電極，其設置在所述器件區域內，且具有跨越所述器件區域和所述器件周邊區域的邊界部；

導電層，其設置在所述柵極電極與所述半導體層之間；和

絕緣層，其設置在所述半導體層與位于所述邊界部處的所述柵極電極之間，

其中，所述導電層在所述器件區域內設置成位于所述絕緣層與所述半導體層之間，且所述導電層的一部分與所述柵極電極接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述導電層設置在所述器件區域的端部上。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述半導體層包括具有彼此不同的帶隙的第一半導體層和第二半導體層。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述第一半導體層和所述第二半導體層從所述柵極電極側開始依次布置，且所述溝道部設置在所述第二半導體層中。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，源極/漏極電極在所述器件區域內電連接到所述半導體層。

6.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述導電層向所述半導體層施加來自所述柵極電極的電壓，且所述器件區域的端部的閾值電壓等于或高于所述器件區域的中心的閾值電壓。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述導電層是使用如下p型半導體來構造的，所述p型半導體由與用于構造所述半導體層的材料體系相同的材料體系制成。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述導電層由比所述柵極電極的構成材料具有更大的功函數的金屬材料制成。

9.根據權利要求1-8中任一項所述的半導體器件，其中，所述半導體層在所述器件區域與所述器件周邊區域之間具有臺階，且所述絕緣層覆蓋所述半導體層的所述臺階。

10.根據權利要求1-8中任一項所述的半導體器件，其中，所述器件周邊區域內的所述半導體層受到高電阻化處理。

11.根據權利要求1-8中任一項所述的半導體器件，其中，所述導電層從所述絕緣層被擴寬成與所述柵極電極接觸。

12.根據權利要求1-8中任一項所述的半導體器件，其中，所述導電層與所述半導體層彼此平齊。

13.根據權利要求1-8中任一項所述的半導體器件，其還包括設置在所述柵極電極與所述半導體層之間的柵極絕緣層。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中，所述柵極絕緣層具有開口，且所述導電層通過所述開口與所述柵極電極接觸。

15.根據權利要求1-8中任一項所述的半導體器件，其中，所述導電層的側面與所述柵極電極接觸。

16.一種電子裝置，所述電子裝置具有根據權利要求1-15中任一項所述的半導體器件。