[發明專利]一種利用多缺陷光子晶體微腔產生矢量光束的裝置有效
| 申請號： | 201410069030.8 | 申請日： | 2014-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN103869386A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發明（設計）人： | 趙建林;趙晨陽;甘雪濤;龐燕;劉圣 | 申請（專利權）人： | 西北工業大學 |
| 主分類號： | G02B1/02 | 分類號： | G02B1/02;G02B6/00 |
| 代理公司： | 西北工業大學專利中心 61204 | 代理人： | 王鮮凱 |
| 地址： | 710072 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 利用 缺陷 光子 晶體 產生 矢量 光束 裝置 | ||
1.一種利用多缺陷光子晶體微腔產生矢量光束的裝置，其特征在于包括半導體材料（1）、空氣孔（2）和光子晶體微腔（3）；半導體材料（1）為具有厚度d的平板，平板上均勻分布若干空氣孔（2），缺失空氣孔的部位形成光子晶體微腔（3）；所述光子晶體微腔（3）為多個，且對稱分布。
2.根據權利要求1所述利用多缺陷光子晶體微腔產生矢量光束的裝置，其特征在于：所述光子晶體微腔（3）為三個時，三個光子晶體微腔（3）形成三角形的三缺陷微腔結構。
3.根據權利要求1所述利用多缺陷光子晶體微腔產生矢量光束的裝置，其特征在于：所述光子晶體微腔（3）為四個時，四個光子晶體微腔（3）形成四邊形的四缺陷微腔結構。
4.根據權利要求1所述利用多缺陷光子晶體微腔產生矢量光束的裝置，其特征在于：所述光子晶體微腔（3）為六個時，六個光子晶體微腔（3）形成正六邊形的六缺陷微腔結構。
5.根據權利要求1所述利用多缺陷光子晶體微腔產生矢量光束的裝置，其特征在于：所述半導體材料模式的波長范圍能夠覆蓋近紫外到紅外波段。
6.根據權利要求1所述利用多缺陷光子晶體微腔產生矢量光束的裝置，其特征在于：所述半導體材料為高介質折射率材料，包括Ⅳ族和Ⅲ-Ⅴ族半導體材料。
7.根據權利要求1所述利用多缺陷光子晶體微腔產生矢量光束的裝置，其特征在于：所述Ⅳ族和Ⅲ-Ⅴ族半導體材料為硅、磷化鎵或砷化鎵。
8.根據權利要求1所述利用多缺陷光子晶體微腔產生矢量光束的裝置，其特征在于：所述三角晶格空氣孔型光子晶體的晶格常數a與空氣孔半徑r之比為a:r=1:0.3。
9.根據權利要求1所述利用多缺陷光子晶體微腔產生矢量光束的裝置，其特征在于：所述半導體材料的厚度為d=220nm。
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