[發明專利]半導體封裝結構和工藝

有效

• 申請號: 201410068916.0
• 申請日: 2014-02-27
• 公開（公告）號: CN104733329B
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發明（設計）人: 何冠霖;陳衿良;林韋廷;劉育志;林士硯
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/50;H01L23/373;H01L25/00;H01L25/16
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種用于制造半導體器件的方法，所述方法包括：

將第一襯底接合至第二襯底的第一側；

將第一熱界面材料放置在所述第二襯底上，其中，在放置所述第一熱界面材料的步驟中，將所述第一熱界面材料放置在所述第一側上；以及

在所述第一襯底和所述第二襯底之間分配底部填充材料，在將所述第一熱界面材料放置在所述第二襯底上之后，實施所述分配，其中，所述底部填充材料在第一方向上延伸以與所述第一熱界面材料的側壁接觸并且在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸第一高度，所述第一高度小于所述第一熱界面材料的高度，并且所述底部填充材料具有暴露于環境空氣中的表面。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：在分配所述底部填充材料之前，將環形件放置在所述第一熱界面材料上。

3.根據權利要求2所述的方法，還包括：在分配所述底部填充材料之前，固化所述第一熱界面材料。

4.根據權利要求2所述的方法，還包括：在分配所述底部填充材料之后，將第二熱界面材料分配在所述環形件上。

5.根據權利要求4所述的方法，還包括：附接蓋，其中，所述蓋與所述第二熱界面材料物理連接。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：附接蓋，其中，所述蓋與所述第一熱界面材料物理連接。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括：將所述第二襯底接合至第三襯底。

8.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

將第一熱界面材料分配至第一襯底的第一側上，其中，第二襯底接合至所述第一襯底的所述第一側；

將環形件放置在所述第一熱界面材料上；

在所述第一襯底和所述第二襯底之間應用底部填充材料；以及

在所述第一襯底和所述第二襯底上方附接蓋，所述蓋與所述環形件熱連接，其中，所述底部填充材料在第一方向上延伸以與所述第一熱界面材料的側壁接觸并且在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸第一高度，所述第一高度小于所述第一熱界面材料的高度，并且所述底部填充材料具有暴露于環境空氣中的表面。

9.根據權利要求8所述的方法，還包括：在將所述環形件放置在所述第一熱界面材料上之后，固化所述第一熱界面材料。

10.根據權利要求8所述的方法，還包括：將所述第一襯底接合至第三襯底。

11.根據權利要求8所述的方法，還包括：在應用所述底部填充材料之后，將第二熱界面材料分配至所述環形件上。

12.根據權利要求11所述的方法，還包括：將第三熱界面材料分配至所述第二襯底上，其中，在所述第一襯底和所述第二襯底上方附接所述蓋的步驟還包括：放置與所述第三熱界面材料接觸的所述蓋。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述蓋包括具有第一厚度的第一區域、具有第二厚度的第二區域和具有第三厚度的第三區域，其中，所述第二厚度與所述第一厚度不同，所述第三厚度與所述第一厚度和所述第二厚度不同，所述第一區域與所述第三熱界面材料接觸，所述第二區域與所述第二熱界面材料接觸，以及所述第三區域與第三襯底上的粘合劑接觸。

14.根據權利要求8所述的方法，其中，所述蓋沿著它的長度具有恒定的厚度。

15.一種半導體器件，包括：

第一襯底，具有第一表面；

第二襯底，接合至所述第一表面；

第一熱界面材料，位于與所述第二襯底橫向分隔開的所述第一表面上；以及

底部填充材料，位于所述第一襯底和所述第二襯底之間，其中，所述底部填充材料在第一方向上延伸以與所述第一熱界面材料的側壁接觸，但是不在所述第一熱界面材料和所述第一表面之間延伸，并且所述底部填充材料在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸第一高度，所述第一高度小于所述第一熱界面材料的高度，并且所述底部填充材料具有暴露于環境空氣中的表面。

16.根據權利要求15所述的半導體器件，還包括：位于所述第一熱界面材料上方的環形件。

17.根據權利要求16所述的半導體器件，還包括：位于所述環形件上方的第二熱界面材料。

18.根據權利要求17所述的半導體器件，還包括：與所述第二熱界面材料物理接觸的蓋。