[發(fā)明專利]一種真空磁控軸瓦減磨合金層濺鍍工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410068373.2 | 申請日: | 2014-02-27 |
| 公開(公告)號: | CN104878353A | 公開(公告)日: | 2015-09-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 木儉樸 | 申請(專利權(quán))人: | 煙臺大豐軸瓦有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司: | 山東舜天律師事務(wù)所 37226 | 代理人: | 呂志彬 |
| 地址: | 261400 山東省煙*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 真空 軸瓦 磨合 金層濺鍍 工藝 | ||
1.一種真空磁控軸瓦減磨合金層濺鍍工藝,包括以下步驟:
(1)?在軸瓦鋼背上澆鑄或燒結(jié)銅基合金層,形成軸瓦基體;
(2)將軸瓦基體在濺鍍設(shè)備外進(jìn)行除油清洗,清洗后由高壓風(fēng)機(jī)對軸瓦基體吹干處理;
(3)軸瓦基體安裝于濺鍍設(shè)備內(nèi)并對濺鍍設(shè)備艙內(nèi)做抽真空處理,達(dá)到真空度要求以后再向濺鍍設(shè)備艙內(nèi)加入惰性氣體,所述惰性氣體為氬氣;
(4)在軸瓦基體和靶材之間建立電磁場,電磁場電源由外部接入濺鍍設(shè)備艙內(nèi),其中電源正極接入靶材位置從而在濺鍍設(shè)備艙內(nèi)形成電磁場陽極;電源負(fù)極接入軸瓦基體位置從而在濺鍍設(shè)備艙內(nèi)形成電磁場陰極;
(5)啟動電源對軸瓦基體的內(nèi)圓面濺鍍鎳柵層,軸瓦基體為燒結(jié)在鋼背上的銅基合金,靶材為純度99%的鎳靶,電磁場能量通過惰性氣體氬氣對濺鍍設(shè)備艙內(nèi)處于陽極位置的靶材進(jìn)行轟擊,靶材的中性粒子被轟擊濺射并沉積到處于陰極位置的軸瓦基體的內(nèi)圓面形成鎳柵層;
(6)關(guān)閉電源,把接入濺鍍設(shè)備的電源的正負(fù)極互換,將電源負(fù)極接入靶材位置從而在濺鍍設(shè)備艙內(nèi)形成電磁場陰極;電源正極接入軸瓦基體位置從而在濺鍍設(shè)備艙內(nèi)形成電磁場陽極;
(7)啟動電源,由于濺鍍設(shè)備艙內(nèi)電磁場的陰陽極互換,電磁場能量也轉(zhuǎn)變?yōu)檗Z擊處于陽極位置的軸瓦基體,從而對軸瓦內(nèi)圓面經(jīng)步驟5形成的鎳柵層進(jìn)行刻蝕,刻蝕時間控制在90-120秒之間;
(8)完成步驟7后關(guān)閉電源,再次將接入濺鍍設(shè)備的電源的正負(fù)極互換,使濺鍍設(shè)備艙內(nèi)陰陽極回到步驟4的狀態(tài),即靶材處于濺鍍設(shè)備艙內(nèi)陽極位置,經(jīng)步驟6被刻蝕過鎳柵層的軸瓦基體處于濺鍍設(shè)備艙內(nèi)陰極位置;
(9)啟動電源向被刻蝕過鎳柵層的軸瓦基體濺鍍合金減磨層,靶材更換為AlSn40Cu,靶材的中性粒子經(jīng)轟擊濺射并沉積到處于陰極位置的經(jīng)過步驟7得到的軸瓦基體內(nèi)圓面表面鎳柵層上形成減磨合金層;
(10)冷卻后取出軸瓦。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





