[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201410067784.X
• 申請日: 2014-02-27
• 公開（公告）號: CN104022114B
• 公開（公告）日: 2018-11-30
• 發明（設計）人: 鳥羽功一;茶木原啟;川島祥之
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L21/8239
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 孫蕾

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

第1層疊膜，隔著第1柵極絕緣膜形成在半導體基板上，由在沿著所述半導體基板的主面的第1方向上延伸的第1選擇柵電極以及所述第1選擇柵電極上的第1帽絕緣膜構成；

第1存儲器柵電極，隔著包括第1電荷積蓄層的第2柵極絕緣膜而與所述第1選擇柵電極的在所述第1方向上延伸的第1側壁的相反側的第2側壁鄰接，所述第1存儲器柵電極在所述第1方向上延伸；

第1供電部，是所述第1方向上的所述第1選擇柵電極的端部，在平面視圖中所述第1供電部從所述第1帽絕緣膜露出；以及

第1栓，與所述第1供電部的上表面連接，

所述第1存儲器柵電極相比于平面視圖中的所述第1供電部以及所述第1帽絕緣膜之間的邊界在所述第1方向上更靠所述第1帽絕緣膜側終止。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在平面視圖中，在所述第1供電部與所述第1存儲器柵電極之間形成有所述第1帽絕緣膜。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，具有：

第2層疊膜，隔著第3柵極絕緣膜形成在所述半導體基板上，由在所述第1方向上延伸的第2選擇柵電極以及所述第2選擇柵電極上的第2帽絕緣膜構成；

第2存儲器柵電極，隔著包括第2電荷積蓄層的第4柵極絕緣膜而與所述第2選擇柵電極的在所述第1方向上延伸的第3側壁的相反側的第4側壁鄰接，所述第2存儲器柵電極在所述第1方向上延伸；

第2供電部，是所述第2選擇柵電極的一部分，所述第2供電部從所述第2選擇柵電極的所述第3側壁，向與所述第1方向正交的第2方向突出，在平面視圖中從所述第2帽絕緣膜露出；以及

第2栓，與所述第2供電部的上表面連接，

在所述第2方向上交替排列配置了多個所述第1選擇柵電極以及所述第2選擇柵電極，

所述第1側壁以及所述第3側壁被相對地配置，

在所述第1方向上排列配置了多個所述第1選擇柵電極，針對在所述第1方向上相鄰的所述第1選擇柵電極彼此之間的區域，在所述第2方向上配置了所述第2供電部以及所述第2存儲器柵電極的第3供電部。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述第1選擇柵電極的正上方，在與所述第1方向正交的第2方向上排列配置了所述第1供電部以及所述第1帽絕緣膜。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

在平面視圖中，所述第1帽絕緣膜的端部到達所述第1方向上的所述第1選擇柵電極的最終端部。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述邊界從平面視圖中的所述第1側壁達到所述第2側壁，沿著與所述第1方向正交的第2方向。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1栓具有在平面視圖中在與所述第1方向正交的第2方向上延伸的形狀。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1供電部被形成在元件分離區域上，該元件分離區域被形成于所述半導體基板的主面，

所述第1栓的一部分與所述元件分離區域的上表面相接。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2柵極絕緣膜包括由第1絕緣膜、形成在所述第1絕緣膜上的所述第1電荷積蓄層以及形成在所述第1電荷積蓄層上的第2絕緣膜構成的第3層疊膜。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1供電部形成在元件分離區域上，該元件分離區域被形成于所述半導體基板的主面，

所述第1層疊膜的一部分在所述元件分離區域上從所述第2側壁向與所述第1方向正交的第2方向突出。