[發明專利]芯片發光面積利用率高的交流高壓的發光芯片

在審

• 申請號: 201410067629.8
• 申請日: 2014-02-22
• 公開（公告）號: CN103985705A
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 彭暉
• 申請（專利權）人: 張濤;彭暉
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L25/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光芯片，包括：

絕緣襯底；

一個單元芯片組；一對焊盤；

所述單元芯片組包括第一發光整流單元芯片；第二發光整流單元芯片；第三發光整流單元芯片；第四發光整流單元芯片；一個公共發光單元芯片；

所述公共發光單元芯片包括第一組電極和第二組電極；

所述一對焊盤包括第一焊盤和第二焊盤；

所述第一發光整流單元芯片、所述第二發光整流單元芯片、所述第三發光整流單元芯片、所述第四發光整流單元芯片和所述公共發光單元芯片形成在所述絕緣襯底上，并且彼此分開；

所述第一發光整流單元芯片、所述公共發光單元芯片的所述第一組電極、所述第二發光整流單元芯片形成第一串串聯連接發光單元；

所述第四發光整流單元芯片、所述公共發光單元芯片的所述第二組電極、所述第三發光整流單元芯片形成第二串串聯連接發光單元；

其中，所述第一串串聯連接發光單元和第二串串聯連接發光單元反向并聯，與所述第一焊盤和第二焊盤形成電連接，使得所述發光芯片可以直接被交流電流驅動，使得所述公共發光單元芯片在輸入的交流電流的正半周和負半周都發光，提高芯片發光面積利用率，提高發光效率。

2.根據權利要求1的發光芯片，其特征于，所述發光芯片包括LED發光芯片和OLED發光芯片。

3.根據權利要求1的發光芯片，其特征于，所述發光芯片，包括：N個單元芯片組，N≥2；

與所述N個單元芯片組相對應的N對焊盤；

所述N個單元芯片組中的第M單元芯片組包括：第M1發光整流單元芯片；第M2發光整流單元芯片；第M3發光整流單元芯片；第M4發光整流單元芯片；第M公共發光單元芯片；其中，N≥M≥2；

所述N個單元芯片組中的N個所述公共發光單元芯片分別包括第一組

電極和第二組電極；

與所述第M個單元芯片組相對應的第M對焊盤包括第M1焊盤和第M2焊盤；

所述第M個單元芯片組的所述第M1發光整流單元芯片、所述第M2發光整流單元芯片、所述第M3發光整流單元芯片、所述第M4發光整流單元芯片和所述第M公共發光單元芯片形成在所述絕緣襯底上，并且彼此分開；

所述第M1發光整流單元芯片、所述第M公共發光單元芯片的所述第一組電極、所述第M2發光整流單元芯片形成第M-1串串聯連接發光單元；所述第M4發光整流單元芯片、所述第M公共發光單元芯片的所述第二組電極、所述第M3發光整流單元芯片形成第M-2串串聯連接發光單元；其中，所述第M-1串串聯連接發光單元和第M-2串串聯連接發光單元反向并聯，與相對應的所述第M1焊盤和第M2焊盤形成電連接，使得所述第M單元芯片組可以直接被從所述第M對焊盤輸入的交流電流驅動，使得所述第M公共發光單元芯片在輸入的交流電流的正半周和負半周都發光，提高芯片發光面積利用率，提高發光效率。

4.根據權利要求3的發光芯片，其特征于，從一對所述焊盤輸入的交流電流的相位與從另一對所述焊盤輸入的交流電流的相位有一個預定角度不同，使得從一個單元芯片組發出的光與從另一個單元芯片組發出的光互相疊加，降低頻閃。