[發(fā)明專利]導電膜及其制備方法、陣列基板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410067432.4
• 申請日: 2014-02-26
• 公開（公告）號: CN103839604A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發(fā)明（設計）人: 張斌;李正亮;劉震;丁錄科;曹占鋒;惠官寶
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01B1/02
• 分類號: H01B1/02;H01L29/45;H01L29/49;C23C14/35
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種導電膜，其特征在于，包括銅或銅合金的基膜，所述基膜內(nèi)分布有元素氫或碳。

2.根據(jù)權利要求1所述的導電膜，其特征在于，所述銅合金的成分包括錳、鋁、鎂、鈣、鋅、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、鐵、釕、鋨、鈷、鉍、銀、錫、硼、硅、鑭、鈰、鐠和釹中的一種或幾種。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的導電膜，其特征在于，所述導電膜中銅所占比例為75%以上并且小于100%。

4.一種陣列基板，所述陣列基板的像素單元包括柵極、柵極絕緣層、有源層、源/漏極和像素電極，其特征在于，柵極、源/漏電極和/或像素電極為：權利要求1-3任一項所述的導電膜；

或者權利要求1-3任一項所述的導電膜和銅膜的組合膜層。

5.一種如權利要求1-3任一項所述的導電膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供銅或銅合金靶材；

在磁控濺射鍍膜設備的真空腔體中固定上述靶材，并將襯底放入真空腔體中，對真空腔體抽真空，并對所述襯底進行預熱處理；

向真空腔體中通入工作氣體以及濺射調(diào)控氣體，調(diào)整濺射調(diào)控氣體在沉積時的溫度及分壓，并在所述襯底上進行膜層沉積，制備得到導電膜。

6.根據(jù)權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述濺射調(diào)控氣體為氫氣或甲烷。

7.根據(jù)權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述濺射調(diào)控氣體在沉積時的分壓為1%-30%。

8.根據(jù)權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述濺射調(diào)控氣體在沉積時的分壓為5%-15%。

9.根據(jù)權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述濺射調(diào)控氣體在沉積時的溫度為0℃-800℃。

10.根據(jù)權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述濺射調(diào)控氣體在沉積時的溫度為25℃-250℃。