[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410067215.5
• 申請日: 2014-02-26
• 公開（公告）號: CN104009037B
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 井上真雄;丸山祥輝;西田彰男;國宗依信;舟山幸太
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L21/8239
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在襯底上形成第一多晶硅膜；

在所述第一多晶硅膜的表面上形成氧化物層；

在所述第一多晶硅膜上方形成第二多晶硅膜，所述第二多晶硅膜與所述氧化物層接觸；以及

在形成所述第二多晶硅膜之后，在包含氮的氣體氣氛下，在比所述第一多晶硅膜和所述第二多晶硅膜的膜形成溫度高的溫度下執(zhí)行退火，以使得將氮引入到所述氧化物層，以抑制在所述第一多晶硅膜和所述第二多晶硅膜內(nèi)的晶粒生長，并且

其中，所述包含氮的氣體包括N₂氣體、NO氣體以及N₂O氣體中的一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，在等于或高于大氣壓的壓力下執(zhí)行在所述包含氮的氣體氣氛下的退火。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，在形成所述第二多晶硅膜之后的第一退火步驟中執(zhí)行在所述包括N₂氣體、NO氣體以及N₂O氣體中的至少一種的氣體氣氛下的退火。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，在所述包括N₂氣體、NO氣體以及N₂O氣體中的至少一種的氣體氣氛下的退火的步驟是以在形成所述第二多晶硅膜之后的最高溫度來執(zhí)行的步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中

在所述包括N₂氣體、NO氣體以及N₂O氣體中的至少一種的氣體氣氛下的退火之后，將雜質(zhì)引入到所述第二多晶硅膜中，并且

將引入了所述雜質(zhì)的所述第二多晶硅膜退火。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中

在比執(zhí)行在所述包括N₂氣體、NO氣體以及N₂O氣體中的至少一種的氣體氣氛下的退火的溫度低的溫度下執(zhí)行對引入了所述雜質(zhì)的所述第二多晶硅膜的退火。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中

所述第一多晶硅膜形成在柵極絕緣膜上，并且

包括所述第一多晶硅膜和所述第二多晶硅膜的層疊多晶硅膜用作晶體管的柵極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中

所述半導(dǎo)體器件是浮柵型晶體管，并且

所述浮柵型晶體管的控制柵和浮柵中的至少一個包括所述層疊多晶硅膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中

所述半導(dǎo)體器件是分裂柵型晶體管，并且

所述分裂柵型晶體管的控制柵包括所述層疊多晶硅膜。

10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在襯底上形成第一多晶硅膜；

在所述第一多晶硅膜的表面上形成氧化物層；

在所述第一多晶硅膜上方形成第二多晶硅膜，所述第二多晶硅膜與所述氧化物層接觸；以及

在形成所述第二多晶硅膜之后，在等于或高于大氣壓的壓力下，在包含氮的氣體氣氛下將所述第一多晶硅膜和所述第二多晶硅膜退火，

其中，

在包含氮的氣體氣氛下的退火之后，將雜質(zhì)引入到所述第二多晶硅膜之中，并且

對引入了所述雜質(zhì)的所述第二多晶硅膜進(jìn)行退火。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，在形成所述第二多晶硅膜之后的第一退火步驟中執(zhí)行在所述包含氮的氣體氣氛下的退火。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，在比所述第二多晶硅膜的膜形成溫度高的溫度下執(zhí)行在所述包含氮的氣體氣氛下的退火。