[發明專利]低壓氣相刻蝕方法在審
| 申請號： | 201410066945.3 | 申請日： | 2014-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN104860259A | 公開（公告）日： | 2015-08-26 |
| 發明（設計）人： | 肖東風;賈照偉;王堅;王暉 | 申請（專利權）人： | 盛美半導體設備(上海)有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;C23F1/12 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 施浩 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 壓氣 刻蝕 方法 | ||
1.一種低壓氣相刻蝕方法，包括：
以液態氫氟酸作為原料輸送至汽化裝置；
液態氫氟酸經汽化后成為氟化氫氣體和水汽的混合氣體；
將混合氣體經過脫水處理后分離出氟化氫氣體；
氟化氫氣體通入工藝腔內；
氟化氫氣體作為刻蝕劑在工藝腔內進行氣相刻蝕反應，并使工藝腔內保持低壓狀態以使反應生成的水以氣態形式存在；
氣相刻蝕反應結束。
2.根據權利要求1所述的低壓氣相刻蝕方法，其特征在于，是通過氮氣將液態氫氟酸吹至汽化裝置。
3.根據權利要求1所述的低壓氣相刻蝕方法，其特征在于，通過真空系統對工藝腔抽真空，以使工藝腔保持所需的低壓狀態。
4.根據權利要求3所述的低壓氣相刻蝕方法，其特征在于，通過自動壓力控制器來控制真空系統抽真空的程度。
5.根據權利要求3所述的低壓氣相刻蝕方法，其特征在于，真空系統控制工藝腔內的氣壓低于50torr。
6.根據權利要求1所述的低壓氣相刻蝕方法，其特征在于，對混合氣體的脫水處理通過對混合氣體進行冷凝處理，使得其中的水汽冷凝析出變為液體，分離出氟化氫氣體。
7.根據權利要求1所述的低壓氣相刻蝕方法，其特征在于，在向工藝腔供應氟化氫氣體之前和氣相刻蝕工藝結束之后，通過向工藝腔充入氮氣再對工藝腔抽真空，如此反復數次以凈化工藝腔。
8.根據權利要求1所述的低壓氣相刻蝕方法，其特征在于，在將氟化氫氣體通入工藝腔內之前，先向工藝腔內輸入未經脫水處理的氣態的氫氟酸，工藝腔內的氣相刻蝕反應進行一時間段后，停止向工藝腔內輸入未經脫水處理的氣態的氫氟酸。
9.根據權利要求1所述的低壓氣相刻蝕方法，其特征在于，在將氟化氫氣體通入工藝腔內的同時，向工藝腔內輸入催化性氣體，工藝腔內的氣相刻蝕反應進行一時間段后，停止向工藝腔內輸入催化性氣體。
10.根據權利要求9所述的低壓氣相刻蝕方法，其特征在于，所述催化性氣體為水蒸汽或酒精氣體。
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