[發明專利]圖形化襯底及其制備方法

在審

• 申請號: 201410066833.8
• 申請日: 2014-02-26
• 公開（公告）號: CN104867965A
• 公開（公告）日: 2015-08-26
• 發明（設計）人: 何洋;董建榮;李奎龍;孫玉潤
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/04;H01L21/02
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 楊林;李友佳

1.一種圖形化襯底，其特征在于：包括襯底和形成于所述襯底上的隔離槽（110），所述隔離槽（110）將襯底表面分割成多個隔離區（120），所述隔離槽（110）沿襯底材料的解理方向設置。

2.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述隔離區（120）的形狀為多邊形和/或非規則形狀。

3.根據權利要求1或2所述的圖形化襯底，其特征在于，所述隔離區（120）的尺寸大于在所述隔離區上生長的目標器件的尺寸。

4.根據權利要求3所述的圖形化襯底，其特征在于，所述隔離區（120）的尺寸比目標器件的尺寸大0.3～30mm。

5.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述隔離槽的深度為1至10微米，寬度為5-15微米。

6.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于，所述襯底為GaAs、InP或GaP襯底。

7.根據權利要求6所述的圖形化襯底，其特征在于，所述隔離槽沿襯底材料的[110]和/或[-110]方向設置。

8.一種圖形化襯底的制備方法，其特征在于，制備如權利要求1所述的圖形化襯底，包括步驟：對襯底進行表面處理；在襯底上涂覆光刻膠，并對該光刻膠進行圖案化處理；對襯底進行刻蝕，形成圖形化襯底。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述步驟進一步包括：

a）表面處理：對襯底進行脫水和烘焙，同時在襯底表面涂覆粘附劑；

b）涂膠：將光刻膠滴在表面處理后的襯底表面，并對襯底進行加速旋轉，使光刻膠均勻地涂覆在襯底表面；

c）前烘：對襯底進行烘烤，蒸發掉涂覆在襯底表面的光刻膠及粘附劑中的溶劑；

d）對準和曝光：提供一光刻板，將光刻板與襯底對準后進行曝光處理；

e）顯影：利用化學顯影液處理襯底表面，在襯底表面形成圖形化的光刻膠；

f）圖形檢查和堅膜：檢查圖形化的光刻膠中的圖案是否正確，并對襯底加溫烘烤使所述圖形化的光刻膠牢固地粘附在襯底表面；

g）刻蝕：以所述圖形化的光刻膠為掩膜，在襯底上刻蝕形成所述隔離槽；

h）去膠：利用濕法腐蝕工藝或干法刻蝕工藝去除所述圖形化的光刻膠。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，步驟g）中采用感應耦合等離子體刻蝕工藝對襯底進行刻蝕。