[發明專利]聚焦離子束低千伏增強

有效

• 申請號: 201410066714.2
• 申請日: 2014-02-26
• 公開（公告）號: CN104008943B
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發明（設計）人: M.馬佐斯
• 申請（專利權）人: FEI公司
• 主分類號: H01J37/21
• 分類號: H01J37/21;H01J37/147;H01J37/28;H01J37/10
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 馬紅梅,胡莉莉

1.一種帶電粒子束系統，包括：

帶電粒子的源；

帶電粒子束聚焦柱，被配置成將所述帶電粒子聚焦成帶電粒子束，其中所述帶電粒子束聚焦柱的中間段的組件包括被配置成跨靶體的表面掃描所述帶電粒子束的掃描靜電偏轉器；以及

電壓模塊，被配置成將浮動偏置電壓施加到所述組件，使得所述帶電粒子束在所述中間段內部比在所述表面處以更高的動能移動。

2.如權利要求1所述的帶電粒子束系統，其中，所述浮動偏置電壓是提高所述中間段與所述靶體之間的電勢差的浮動偏置電壓。

3.如權利要求1所述的帶電粒子束系統，進一步包括光軸，所述光軸從所述帶電粒子的源延伸，且橫貫所述帶電粒子束聚焦柱的長度，并且其中，所述帶電粒子束聚焦柱進一步包括沿所述光軸在所述掃描靜電偏轉器的下游設置的透鏡。

4.如權利要求1所述的帶電粒子束系統，其中，所述帶電粒子束聚焦柱是聚焦離子束柱，所述帶電粒子束是聚焦離子束，并且所述浮動偏置電壓包括負電壓。

5.如權利要求4所述的帶電粒子束系統，其中，所述浮動偏置電壓包括處于0與-5 kV之間的負電壓。

6.如權利要求5所述的帶電粒子束系統，其中，所述負電壓處于從-1 kV到-3 kV的范圍內。

7.如權利要求4所述的帶電粒子束系統，其中，所述掃描靜電偏轉器包括八極。

8.如權利要求1所述的帶電粒子束系統，其中，所述浮動偏置電壓包括高于地的電壓。

9.如權利要求1所述的帶電粒子束系統，其中，所述帶電粒子的源包括電子源。

10.一種帶電粒子束系統，包括：

帶電粒子的源；

帶電粒子束柱，被配置成將包括來自所述源的帶電粒子的帶電粒子束引導至靶體上，其中，所述帶電粒子束柱的中間段包括增壓器管，所述增壓器管包含被配置成跨所述靶體的表面掃描所述帶電粒子束的掃描靜電偏轉器；以及

電壓模塊，被配置成隨著所述帶電粒子束沿光軸橫貫所述帶電粒子束柱的長度而將浮動偏置電壓施加到所述增壓器管，使得所述帶電粒子束在所述中間段內部比在所述表面處以更高的動能移動，所述光軸從所述源延伸到所述靶體。

11.如權利要求10所述的帶電粒子束系統，其中：

所述帶電粒子束柱進一步包括沿從所述源延伸到所述靶體的光軸在所述掃描靜電偏轉器的下游設置的透鏡。

12.如權利要求10所述的帶電粒子束系統，其中，所述帶電粒子束柱是聚焦離子束柱，所述帶電粒子束是聚焦離子束，并且將浮動偏置電壓施加到所述增壓器管包括將負電壓施加到所述增壓器管。

13.如權利要求10所述的帶電粒子束系統，其中，所述增壓器管封裝所述帶電粒子束柱的中間組件，并且所述掃描靜電偏轉器是所述中間組件之一。

14.如權利要求13所述的帶電粒子束系統，其中，所述增壓器管將所述中間組件與接地電勢電絕緣。

15.如權利要求14所述的帶電粒子束系統，其中，所述增壓器管的材料將所述中間組件與接地電勢電絕緣。

16.如權利要求10所述的帶電粒子束系統，其中，所述增壓器管和所述帶電粒子束柱的其他組件與地電絕緣。

17.如權利要求10所述的帶電粒子束系統，其中：

所述增壓器管包括所述帶電粒子束柱的設置在所述帶電粒子束柱的中間段內的組件；并且

所述增壓器管不包括封裝所述組件的實體管。

18.一種用于使用帶電粒子束使靶體成像和/或對靶體進行加工的方法，所述方法包括：

沿從帶電粒子的源向靶體的表面延伸的帶電粒子束柱的光軸引導帶電粒子束；以及

將浮動偏置電壓施加到所述帶電粒子束柱的中間段的組件，使得所述帶電粒子束在所述中間段內部比在所述表面處以更高的動能移動，其中，所述組件包括被配置成跨所述表面掃描所述帶電粒子束的掃描靜電偏轉器。

19.如權利要求18所述的方法，其中，所述帶電粒子束柱包括沿所述光軸在所述掃描靜電偏轉器的下游設置的透鏡，并且所述方法進一步包括將所述帶電粒子束引導通過所述掃描靜電偏轉器和所述透鏡。