[發明專利]半導體裝置以及用于制造該半導體裝置的方法

有效

• 申請號: 201410066498.1
• 申請日: 2014-02-26
• 公開（公告）號: CN104037229B
• 公開（公告）日: 2017-07-21
• 發明（設計）人: 姜守昶;金榮載
• 申請（專利權）人: 美格納半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 尹淑梅,韓芳

1.一種用于制造半導體裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

在基底的外延層內形成下溝槽部分；

在下溝槽部分的表面上形成第一氧化物層；

在下溝槽部分內的第一氧化物層上形成犧牲埋層圖案；

去除第一氧化物層的暴露部分，以暴露下溝槽部分的側壁；

在下溝槽部分的側壁和犧牲埋層圖案的表面上形成第二氧化物層；

去除第二氧化物層、犧牲埋層圖案和第一氧化物層，以在下溝槽部分的側壁上形成上溝槽部分，上溝槽部分的寬度比下溝槽部分的寬度寬；

在下溝槽部分的表面、上溝槽部分的表面和基底的外延層的表面上形成柵極絕緣層；

通過在下溝槽部分和上溝槽部分內的柵極絕緣層上沉積多晶硅填充溝槽；

在外延層內形成主體區域；

通過蝕刻多晶硅在下溝槽部分內形成柵極；

通過離子注入到上溝槽部分的側壁中形成源極區域；

在上溝槽部分內的柵極絕緣層上形成層間絕緣層圖案；

形成接觸溝槽以使源極區域和主體區域接觸；

在接觸溝槽上形成重摻雜雜質區域，重摻雜雜質區域具有雜質類型與主體區域的雜質類型相同的雜質并且具有比主體區域的雜質濃度高的雜質濃度；以及

用金屬層填充接觸溝槽。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，利用自對準接觸蝕刻方法形成接觸溝槽。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，層間絕緣層包括高溫低壓沉積氧化物。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，層間絕緣層包括硼磷硅玻璃膜。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，犧牲埋層圖案由多晶硅或層間絕緣材料制成。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，通過回蝕多晶硅形成柵極。

7.一種用于制造半導體裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

在包括外延層的基底內形成下溝槽部分；

在下溝槽部分的表面上形成第一氧化物層；

在下溝槽部分內的第一氧化物層上沉積多晶硅；

在外延層內形成主體區域；

在下溝槽部分內形成柵極并且使第一氧化物層部分地暴露；

去除第一氧化物層的暴露部分，以暴露下溝槽部分的側壁；

在柵極和下溝槽部分的側壁上形成第二氧化物層以形成上溝槽部分，上溝槽部分的寬度比下溝槽部分的寬度寬；

在包括上溝槽部分的柵極上形成絕緣層；

在上溝槽部分內的絕緣層上形成層間絕緣層圖案；

形成接觸溝槽以接觸主體區域；

在接觸溝槽下面形成重摻雜雜質區域，重摻雜雜質區域具有雜質類型與主體區域的雜質類型相同的雜質并且具有比主體區域的雜質濃度高的雜質濃度；以及

用金屬層填充接觸溝槽。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，利用自對準接觸蝕刻方法形成接觸溝槽。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，層間絕緣層包括高溫低壓沉積氧化物。

10.根據權利要求7所述的方法，其中，層間絕緣層包括硼磷硅玻璃膜。

11.根據權利要求7所述的方法，其中，通過回蝕多晶硅形成柵極。

12.根據權利要求7所述的方法，所述方法還包括：在形成柵極之后去除第一氧化物層之前，通過離子注入形成源極區域。

13.根據權利要求7所述的方法，所述方法還包括：在上溝槽部分的側壁上形成第二氧化物層之后，通過離子注入形成源極區域。

14.根據權利要求7所述的方法，所述方法還包括：在去除第二氧化物層之后，通過離子注入形成源極區域。

15.根據權利要求12所述的方法，其中，接觸溝槽被形成為與源極區域接觸。