[發明專利]一種基于氮化硅的納米金膜電極方法

有效

• 申請號: 201410066383.2
• 申請日: 2014-02-26
• 公開（公告）號: CN103776882A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 曹忠;朱爽麗;何婧琳;伍娉;曾巨瀾;孫立賢
• 申請（專利權）人: 長沙理工大學
• 主分類號: G01N27/30
• 分類號: G01N27/30
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于氮化硅的納米金膜電極，其特征在于該電極包括覆蓋有一層納米級厚度工作金膜（2）和引腳金膜（3）的基片（1），該引腳金膜（3）與外包有塑料絕緣層（4）的金屬絲導線（5）通過焊錫（6）相連接，連接處用環氧樹脂膠（7）包裹密封。

2.根據權利要求1所述的納米金膜電極，其特征在于所述基片（1）的形狀為長方形，長為3~18mm，寬為2~12mm，其四周邊緣均用環氧樹脂膠包裹密封；工作金膜（2）的形狀為正方形，邊長為2~12mm；引腳金膜（3）的形狀為小長方形，長為1~6mm，寬為1~4mm。

3.根據權利要求1所述的納米金膜電極，其特征在于所述金屬絲導線（5）的材料為銅絲、鋁絲或銀絲。

4.根據權利要求1所述的納米金膜電極，其特征在于所述基片（1）的制備過程如下：采用磁控濺射鍍膜法，通過控制鍍膜真空度≤2.0×10^-3?Pa，鍍膜速度≤2.0??/s，在拋光的氮化硅基板（11）表面上逐步濺射沉積二氧化錫膜層（12）、金屬鈦膜層（13）、銅錳合金膜層（14）；銅錳合金膜層（14）經拋光處理后，再采用掩膜版法在其表面上濺射沉積工作金膜（2）和引腳金膜（3）。

5.根據權利要求4所述的納米金膜電極，其特征是：在拋光的氮化硅基板（11）表面上逐步濺射沉積的二氧化錫膜層（12）的厚度為60~400nm，金屬鈦膜層（13）的厚度為20~100nm，銅錳合金膜層（14）的厚度為60~400nm。

6.根據權利要求4所述的納米金膜電極，其特征是：銅錳合金膜層（14）經拋光處理后，在其表面上所沉積工作金膜（2）和引腳金膜（3）的厚度為20~400nm。

7.根據權利要求4所述的納米金膜電極，其特征在于銅錳合金膜層（14）材料的各組分的質量百分比分別為：Cu?72~82%、Mn?8~18%、Fe?3~6%、Si?≤3.5%、C?≤0.45%、P?≤0.07%、S?≤0.03%。