[發(fā)明專利]一種基于氮化硅的納米金膜電極方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410066383.2
• 申請(qǐng)日: 2014-02-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103776882A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹忠;朱爽麗;何婧琳;伍娉;曾巨瀾;孫立賢
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)沙理工大學(xué)
• 主分類號(hào): G01N27/30
• 分類號(hào): G01N27/30
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種基于氮化硅的納米金膜電極，其特征在于該電極包括覆蓋有一層納米級(jí)厚度工作金膜（2）和引腳金膜（3）的基片（1），該引腳金膜（3）與外包有塑料絕緣層（4）的金屬絲導(dǎo)線（5）通過(guò)焊錫（6）相連接，連接處用環(huán)氧樹(shù)脂膠（7）包裹密封。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米金膜電極，其特征在于所述基片（1）的形狀為長(zhǎng)方形，長(zhǎng)為3~18mm，寬為2~12mm，其四周邊緣均用環(huán)氧樹(shù)脂膠包裹密封；工作金膜（2）的形狀為正方形，邊長(zhǎng)為2~12mm；引腳金膜（3）的形狀為小長(zhǎng)方形，長(zhǎng)為1~6mm，寬為1~4mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米金膜電極，其特征在于所述金屬絲導(dǎo)線（5）的材料為銅絲、鋁絲或銀絲。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米金膜電極，其特征在于所述基片（1）的制備過(guò)程如下：采用磁控濺射鍍膜法，通過(guò)控制鍍膜真空度≤2.0×10^-3?Pa，鍍膜速度≤2.0??/s，在拋光的氮化硅基板（11）表面上逐步濺射沉積二氧化錫膜層（12）、金屬鈦膜層（13）、銅錳合金膜層（14）；銅錳合金膜層（14）經(jīng)拋光處理后，再采用掩膜版法在其表面上濺射沉積工作金膜（2）和引腳金膜（3）。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的納米金膜電極，其特征是：在拋光的氮化硅基板（11）表面上逐步濺射沉積的二氧化錫膜層（12）的厚度為60~400nm，金屬鈦膜層（13）的厚度為20~100nm，銅錳合金膜層（14）的厚度為60~400nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的納米金膜電極，其特征是：銅錳合金膜層（14）經(jīng)拋光處理后，在其表面上所沉積工作金膜（2）和引腳金膜（3）的厚度為20~400nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的納米金膜電極，其特征在于銅錳合金膜層（14）材料的各組分的質(zhì)量百分比分別為：Cu?72~82%、Mn?8~18%、Fe?3~6%、Si?≤3.5%、C?≤0.45%、P?≤0.07%、S?≤0.03%。