[發明專利]高電位梯度的二氧化錫壓敏電阻材料無效
| 申請號： | 201410065895.7 | 申請日： | 2014-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN103819186A | 公開（公告）日： | 2014-05-28 |
| 發明（設計）人： | 劉延星;王春明;朱木典;曹育斌 | 申請（專利權）人： | 江蘇世星電子科技有限公司;江蘇海峰電子有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/457 | 分類號： | C04B35/457;C04B35/622 |
| 代理公司： | 連云港潤知專利代理事務所 32255 | 代理人： | 劉喜蓮 |
| 地址： | 222300 江蘇省連云*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電位 梯度 氧化 壓敏電阻 材料 | ||
【權利要求書】：
1.一種高電位梯度的二氧化錫壓敏電阻材料，其特征在于：該材料由以下摩爾百分比的組分組成：
SnO2：95~99.7mol%；
CuO或Cu2O：0.25~2.5mol%；
Nb2O5或金屬Nb粉料：0.05~2.5?mol%。
2.根據權利要求1所述的高電位梯度的二氧化錫壓敏電阻材料，其特征在于：該材料由以下摩爾百分比的組分組成：
SnO2：98.95?mol%?；
CuO?：1.00?mol%；
Nb2O5：0.05?mol%。
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