[發明專利]多層存儲塊兼具單層存儲塊性能的方法在審
| 申請號： | 201410065882.X | 申請日： | 2014-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN103870214A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發明（設計）人： | 李修錄 | 申請（專利權）人： | 深圳市安信達存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | G06F3/06 | 分類號： | G06F3/06;G06F12/02 |
| 代理公司： | 深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 孫偉 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山區西*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多層 存儲 兼具 單層 性能 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種多層存儲塊兼具單層存儲塊性能的方法，其特征在于：該方法包括以下步驟：?A.在每個存儲單位上僅設置“0”和“1”兩個電位；?B.模擬單層存儲塊的寫入方式將數據寫入多層存儲塊內。
2.根據權利要求1所述多層存儲塊兼具單層存儲塊性能的方法，其特征在于：步驟B中所述模擬單層存儲塊寫入方式是采用獨立內置固件的形式完成的。
3.根據權利要求2所述多層存儲塊兼具單層存儲塊性能的方法，其特征在于：步驟B中所述內置固件采用TurboMLC技術將每單位存儲2比特位改為每單位存儲1比特位。
4.根據權利要求3所述多層存儲塊兼具單層存儲塊性能的方法，其特征在于：步驟B中所述內置固件對尋址方式進行編譯。
5.根據權利要求3所述多層存儲塊兼具單層存儲塊性能的方法，其特征在于：步驟B中所述內置固件對尋址方式編譯的方法是通過pointer?operation命令選擇bit8的高低，從而確定A8為halfpage?pointer，確定A[7:0]為column?address，確定存儲單元page在存儲塊內的相對地址。
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