[發(fā)明專利]切削殘余部除去裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410065865.6 | 申請日: | 2014-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN104183476B | 公開(公告)日: | 2017-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 中村浩二郎;吉野道朗;古重徹 | 申請(專利權(quán))人: | 松下知識產(chǎn)權(quán)經(jīng)營株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/301 | 分類號: | H01L21/301;B28D5/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021 | 代理人: | 雒運(yùn)樸 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 切削 殘余 除去 裝置 | ||
1.一種切削殘余部除去裝置,其從利用粘接劑粘接有晶片列和切削殘余部的切片基座除去所述切削殘余部,所述晶片列通過對鑄錠進(jìn)行切片而形成,所述切削殘余部配備于所述鑄錠的端部,
所述切削殘余部除去裝置的特征在于,具備:
槽,其儲存液體;
保持構(gòu)件,其保持所述切片基座;
保持臂,其保持所述切削殘余部且使所述切屑?xì)堄嗖恳苿樱?/p>
第一噴嘴,其向所述晶片列中的位于與所述切削殘余部相鄰位置的晶片的、與所述切削殘余部對置的面噴射流體;
旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),其保持所述切削殘余部,使所述切削殘余部以所述切削殘余部與所述切片基座的粘接部位為軸向從所述晶片列離開的方向旋轉(zhuǎn);
移動機(jī)構(gòu),其使所述切削殘余部向從所述切片基座離開的方向移動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切削殘余部除去裝置,其中,
所述移動機(jī)構(gòu)使所述切削殘余部向沿著所述切削殘余部的切削面且從所述切片基座離開的方向移動。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的切削殘余部除去裝置,其中,
該切削殘余部除去裝置還具備與所述切削殘余部的旋轉(zhuǎn)同步地進(jìn)行移動的第二噴嘴。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的切削殘余部除去裝置,其中,
與所述切削殘余部對置的所述面和所述第二噴嘴的噴射方向所成的銳角大于與所述切削殘余部對置的所述面和所述第一噴嘴的噴射方向所成的銳角。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的切削殘余部除去裝置,其中,
所述保持構(gòu)件以所述晶片列浸漬于所述槽的液體中、且所述粘接劑與所述槽的液體非接觸的方式保持所述切片基座。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的切削殘余部除去裝置,其中,
該切削殘余部除去裝置還具備使所述切削殘余部與所述切片基座之間的所述粘接劑軟化的軟化機(jī)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的切削殘余部除去裝置,其中,
所述第一噴嘴在所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述切削殘余部旋轉(zhuǎn)的期間噴射流體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的切削殘余部除去裝置,其中,
所述移動機(jī)構(gòu)在所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述切削殘余部進(jìn)行的旋轉(zhuǎn)完畢之后使所述切削殘余部移動。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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