[發明專利]覆晶式LED芯片的制作方法有效
| 申請號： | 201410065683.9 | 申請日： | 2014-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN103794689A | 公開（公告）日： | 2014-05-14 |
| 發明（設計）人： | 龐曉東;王瑞慶;劉鎮;陳浩明 | 申請（專利權）人： | 深圳市兆明芯科技控股有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/44;H01L33/38 |
| 代理公司： | 深圳市博銳專利事務所 44275 | 代理人： | 張明 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山區西麗街道*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 覆晶式 led 芯片 制作方法 | ||
1.一種覆晶式LED芯片的制作方法，其特征在于，包含以下步驟：
在襯底上依次層疊第一導電型半導體層、發光層和第二導電型半導體層；
采用第一掩模蝕刻發光層和第二導電型半導體層，形成暴露第一導電型半導體層的至少一個第一電極孔，所述第一電極孔在發光層上均勻分布；
在第二導電型半導體層的正面覆蓋具有高透射率的導電材料形成導電層，并采用第一掩模在該導電層上蝕刻第一電極孔的延伸部；
在導電層的正面覆蓋具有高反射率的絕緣材料形成反射層，并采用第一掩模在該反射層上蝕刻第一電極孔的延伸部，同時該絕緣材料覆蓋在第一電極孔的孔壁上形成絕緣層；
采用第二掩模蝕刻反射層，形成暴露導電層的多個第二電極孔，所述第二電極孔圍繞第一電極孔的周圍均勻分布；
采用金屬導電材料成型經由第一電極孔連接至第一導電型半導體層的第一電極、經由第二電極孔連接至導電層的第二電極；
采用金屬導電材料在發射層的正面成型第一導電層，所述第一導電層包括覆蓋第一電極的第一電極區和覆蓋第二電極的第二電極區，所述第一電極區和第二電極區互不相連，第一導電層暴露出部分的第一電極和第二電極；
采用絕緣材料在第一導電層的正面成型隔離層，所述隔離層覆蓋該覆晶式LED芯片的頂面以及第一導電型半導體層和第二導電型半導體層的側面；
在隔離層上蝕刻暴露第一電極區的第一導電孔和暴露第二電極區的第二導電孔；
采用金屬導電材料在所述第一導電孔和第二導電孔中成型導電金屬電極；
采用金屬導電材料在隔離層的正面成型第二導電層，所述第二導電層分別與所述導電金屬電極電性相連以形成兩個電極連接點。
2.根據權利要求1所述的覆晶式LED芯片的制作方法，其特征在于，所述絕緣材料包括包括分布式布拉格反射鏡DBR或SiO2、SiNx、AlN。
3.根據權利要求1所述的覆晶式LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一電極、第二電極和第一導電層的材質為鈦、鉻、鋁和銀中的一種。
4.根據權利要求1或3所述的覆晶式LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一導電層的厚度為
5.根據權利要求1所述的覆晶式LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第二導電層和導電金屬電極的材質為金、銀、鉑、鈦、鉻、鎳、銅和鋁中的一種或多種。
6.根據權利要求1或5所述的覆晶式LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第二導電層的厚度為
7.根據權利要求1所述的覆晶式LED芯片的制作方法，其特征在于，所述隔離層在該覆晶式LED芯片的頂面的水平方向上暴露于第二導電層之間的長度在整體尺寸中的占比為五分之一至二分之一。
8.根據權利要求1所述的覆晶式LED芯片的制作方法，其特征在于，所述導電層的材質為透明導電材料或摻錫氧化銦ITO。
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