[發(fā)明專利]一種低電場(chǎng)源極抹除非揮發(fā)性內(nèi)存單元及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410064641.3
• 申請(qǐng)日: 2014-02-25
• 公開（公告）號(hào): CN103811498B
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范德慈;陳志明;呂榮章
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京芯盈速騰電子科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H10B41/35
• 分類號(hào): H10B41/35
• 代理公司: 上海唯源專利代理有限公司 31229
• 代理人: 曾耀先

1.一種低電場(chǎng)源極抹除非揮發(fā)性內(nèi)存單元的制造方法，其特征在于，包含：

提供一基板，其中所述基板具有一上表面；

形成一第一介電層于所述基板的上表面；

形成一選擇柵極區(qū)于所述第一介電層之上；

形成一選擇柵極區(qū)側(cè)壁絕緣層，于所述選擇柵極區(qū)未覆蓋所述基板上表面處形成一穿隧介電層,連接于所述選擇柵極區(qū)上表面；

形成一自對(duì)準(zhǔn)浮動(dòng)?xùn)艠O；

以離子布植方式形成源極擴(kuò)散區(qū)的淡摻雜區(qū)；

形成一離子布植隔離層；

以離子布植方式形成源極擴(kuò)散區(qū)的濃摻雜擴(kuò)散區(qū)；

去除離子布植隔離層；

形成一懸浮柵極區(qū)于所述穿隧介電層的表面上，于所述懸浮柵極區(qū)之上形成一第二介電層；

以快速硅氧化方式修補(bǔ)離子布植缺陷并形成一源極絕緣層；

于所述第二介電層之上形成一控制柵極區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的低電場(chǎng)源極抹除非揮發(fā)性內(nèi)存單元的制造方法，其特征在于，所述源極擴(kuò)散區(qū)的濃摻雜區(qū)和淡摻雜區(qū)的結(jié)構(gòu)為兩種不同擴(kuò)散系數(shù)的磷原子以及砷原子。

3.如權(quán)利要求1所述的低電場(chǎng)源極抹除非揮發(fā)性內(nèi)存單元的制造方法，其特征在于，所述離子布植隔離層的厚度介于10納米至30納米之間。

4.如權(quán)利要求1所述的低電場(chǎng)源極抹除非揮發(fā)性內(nèi)存單元的制造方法，其特征在于，所述穿隧介電層的厚度介于5納米至15納米之間。

5.如權(quán)利要求1所述的低電場(chǎng)源極抹除非揮發(fā)性內(nèi)存單元的制造方法，其特征在于，所述源極絕緣層的厚度介于10納米至30納米之間。