[發明專利]基于VMM的二級緩存驗證方法及裝置

有效

• 申請號: 201410064621.6
• 申請日: 2014-02-25
• 公開（公告）號: CN104866415B
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發明（設計）人: 劉美云;胡勝發
• 申請（專利權）人: 安凱（廣州）微電子技術有限公司
• 主分類號: G06F11/36
• 分類號: G06F11/36
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 王寶筠

技術領域

本發明涉及測試技術領域，特別涉及一種基于VMM的二級緩存驗證方法及裝置。

背景技術

隨著電子技術的不斷發展，人們對電子產品的要求越來越高，集成電路的規模也日益擴大，相應的，芯片所支持的外設也相應的增加；其中，芯片的二級緩存是外設與芯片內的同步動態隨機存儲器交互工作的橋梁，同時，也對芯片內的高速工作的中央處理器與慢速工作的外設起到協調與緩存的作用；而在現有技術中，為了確保芯片內的二級緩存能支持外設，在芯片出廠前，一般均需對芯片內的二級緩存能否支持外設進行驗證；因此，在現有技術中，如何驗證芯片內的二級緩存能否支持外設正在成為研究熱點。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種基于VMM的二級緩存驗證方法及裝置，以對芯片的二級緩存能否支持外設進行驗證。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種基于VMM的二級緩存驗證方法，包括：

分別產生N個外設測試所需的N個第一事務；其中，所述第一事務包括測試數據包，所述N為自然數；

分別產生與所述N個第一事務相對應的N組激勵信號，并將所述激勵信號傳送至二級緩存中；

針對任一第一事務：

每隔預設時間，從所述二級緩存中存儲所述第一事務的緩存區讀出所存儲的第二事務；

將所述第一事務與所述第二事務的相似度進行對比，獲得目標相似度；

當所述目標相似度的值大于等于所述預設相似度的值時，驗證通過。

優選的，所述分別產生N個外設測試所需的N個第一事務，包括：

將預設的通用測試數據激勵產生器例化為N個例化測試數據激勵產生器；

約束每個例化測試數據激勵產生器均產生一第一事務，所述N個例化測試數據激勵產生器共產生N個外設測試所需的第一事務。

優選的，所述分別產生與所述N個第一事務相對應的N組激勵信號，包括：

將預設的通用設備主控模塊例化為N個例化的設備主控模塊；

約束每個例化的設備主控模塊均產生一組激勵信號，所述N個例化的設備主控模塊共產生N組激勵信號；其中，所述N組激勵信號與所述N個第一事務一一對應。

一種基于VMM的二級緩存驗證裝置，包括：

第一產生模塊用于，分別產生N個外設測試所需的N個第一事務；其中，所述第一事務包括測試數據包，所述N為自然數；

第二產生模塊用于，分別產生與所述N個第一事務相對應的N組激勵信號；

傳送模塊用于，將所述激勵信號傳送至二級緩存中；

讀取模塊用于，針對任一第一事務，每隔預設時間，從所述二級緩存中存儲所述第一事務的緩存區讀出所存儲的第二事務；

對比模塊用于，將所述第一事務與所述第二事務的相似度進行對比，獲得目標相似度；

驗證模塊用于，當所述目標相似度的值大于等于所述預設相似度的值時，驗證通過。

優選的，所述第一產生模塊包括：

第一例化單元用于，將預設的通用測試數據激勵產生器例化為N個例化測試數據激勵產生器；

第一約束單元用于，約束每個例化測試數據激勵產生器均產生一第一事務，所述N個例化測試數據激勵產生器共產生N個外設測試所需的第一事務。

優選的，所述第二產生模塊包括：

第二例化單元用于，將預設的通用設備主控模塊例化為N個例化的設備主控模塊；

第二約束單元用于，約束每個例化的設備主控模塊均產生一組激勵信號，所述N個例化的設備主控模塊共產生N組激勵信號；其中，所述N組激勵信號與所述N個第一事務一一對應。

由上述的技術方案可以看出，在本發明實施例中，首先分別產生N個外設測試所需的N個第一事務；其中，第一事務包括測試數據包，而N為自然數；然后分別產生與N個第一事務相對應的N組激勵信號，并將激勵信號傳送至二級緩存中；再然后針對任一第一事務，每隔預設時間，從二級緩存中存儲該第一事務的緩存區讀出所存儲的第二事務；最后將第一事務與第二事務的相似度進行對比，獲得目標相似度，且當目標相似度的值大于預設相似度的值時，認為驗證通過，即此時芯片內的二級緩存能夠支持該第一事務所對應的外設，否則認為該芯片內的二級緩存不能夠支持該第一事務所對應的外設。

附圖說明