[發(fā)明專利]具有GeSn源漏的MOSFET及其形成方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410063619.7
• 申請(qǐng)日: 2014-02-25
• 公開（公告）號(hào): CN103811352A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王敬;肖磊;趙梅;梁仁榮;許軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/20;H01L29/78
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種具有GeSn源漏的MOSFET的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供頂部具有Ge層的襯底；

在所述襯底之上形成柵堆疊或假柵；

在所述柵堆疊或假柵兩側(cè)形成源區(qū)和漏區(qū)的開口，在所述開口位置露出所述Ge層；

向所述Ge層表層注入含有Sn元素的原子、分子、離子或等離子體，在所述開口位置形成GeSn層。

2.如權(quán)利要求1所述的具有GeSn源漏的MOSFET的形成方法，其特征在于，還包括：

在形成所述源區(qū)和漏區(qū)的開口之前，在所述柵堆疊或假柵兩側(cè)形成柵側(cè)墻。

3.如權(quán)利要求1或2所述的具有GeSn源漏的MOSFET的形成方法，其特征在于，還包括：

在形成所述GeSn層之后，去除所述假柵，在所述假柵區(qū)域形成柵堆疊。

4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的具有GeSn源漏的MOSFET的形成方法，其特征在于，所述注入的方法包括離子注入。

5.如權(quán)利要求4所述的具有GeSn源漏的MOSFET的形成方法，其特征在于，所述離子注入包括等離子體源離子注入和等離子體浸沒離子注入。

6.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的具有GeSn源漏的MOSFET的形成方法，其特征在于，所述注入的方法包括磁控濺射。

7.如權(quán)利要求6所述的具有GeSn源漏的MOSFET的形成方法，其特征在于，在利用所述磁控濺射注入的過程中，在所述襯底上加載負(fù)偏壓。

8.如權(quán)利要求6或7所述的具有GeSn源漏的MOSFET的形成方法，其特征在于，還包括：去除所述磁控濺射在所述GeSn層之上形成的Sn薄膜。

9.如權(quán)利要求8所述的具有GeSn源漏的MOSFET的形成方法，其特征在于，利用對(duì)GeSn和Sn具有高腐蝕選擇比的溶液清洗以去除所述Sn薄膜。

10.如權(quán)利要求1所述的具有GeSn源漏的MOSFET的形成方法，其特征在于，所述注入的過程中對(duì)所述襯底加熱，加熱溫度為100-600℃。

11.如權(quán)利要求1所述的具有GeSn源漏的MOSFET的形成方法，其特征在于，還包括：在所述注入之后，對(duì)GeSn層退火，退火溫度為100-600℃。

12.如權(quán)利要求1所述的具有GeSn源漏的MOSFET的形成方法，其特征在于，所述GeSn層為應(yīng)變GeSn層。

13.如權(quán)利要求12所述的具有GeSn源漏的MOSFET的形成方法，其特征在于，所述應(yīng)變GeSn層的厚度為0.5-100nm。

14.如權(quán)利要求12所述的具有GeSn源漏的MOSFET的形成方法，其特征在于，所述應(yīng)變GeSn層中Sn的原子百分含量小于20%。

15.如權(quán)利要求1-14任一項(xiàng)所述的具有GeSn源漏的MOSFET的形成方法，其特征在于，所述頂部具有Ge層的襯底包括：純Ge襯底、絕緣體上Ge襯底、具有Ge表面的Si襯底。

16.一種具有GeSn源漏的MOSFET，其特征在于，包括：

襯底；

形成在襯底的頂部的Ge溝道；

形成在所述Ge溝道兩側(cè)的GeSn源漏；以及

形成在所述Ge溝道之上的柵堆疊結(jié)構(gòu)。