[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410063283.4 | 申請(qǐng)日: | 2014-02-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103824810B | 公開(公告)日: | 2017-05-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蘇長(zhǎng)義;鄭揚(yáng)霖 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/77 | 分類號(hào): | H01L21/77;H01L27/12;G03F7/42;G02F1/1339 |
| 代理公司: | 深圳市順天達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司44217 | 代理人: | 蔡曉紅 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜晶體管 陣列 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及液晶顯示器領(lǐng)域,尤其涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)
多媒體社會(huì)的急速進(jìn)步多半是受惠于半導(dǎo)體元件及顯示裝置的飛躍性進(jìn)步。就顯示面板而言,具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低功耗、無輻射等優(yōu)越特性的薄膜晶體管液晶顯示面板(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)已經(jīng)逐漸成為市場(chǎng)的主流。
一般來說,薄膜晶體管液晶顯示面板是由薄膜晶體管陣列基板、液晶層以及彩色濾光基板所構(gòu)成。在制造過程中,通常會(huì)在薄膜晶體管陣列基板上涂布一層框膠(sealant),利用框膠的粘性將薄膜晶體管陣列基板與彩色濾光基板貼合,并將液晶層封裝在薄膜晶體管陣列基板與彩色濾光基板之間。
請(qǐng)參閱圖1,現(xiàn)有的薄膜晶體管液晶顯示面板制程中,薄膜晶體管陣列基板的制造方法一般包括以下步驟:
一、形成薄膜晶體管。具體方法是首先在一基板主體110的上表面使用導(dǎo)電材料(例如金屬等)形成薄膜晶體管的柵極111,然后使用絕緣材料(例如氧化硅或氮化硅等)在所述基板主體110的上表面上形成絕緣層112,該絕緣層112在業(yè)內(nèi)一般稱為柵極保護(hù)層或柵介電層,將所述基板主體110的上表面連同所述柵極111一同覆蓋。接下來,采用半導(dǎo)體材料在所述第一保護(hù)層112的上表面上與所述柵極111對(duì)應(yīng)的位置形成薄膜晶體管的半導(dǎo)體層113,該半導(dǎo)體層113用作薄膜晶體管的通道區(qū)。然后在該半導(dǎo)體層113上用導(dǎo)電材料(例如金屬)堆疊形成薄膜晶體管的漏極114和源極115。
二、使用絕緣材料(例如氧化硅或氮化硅等)在所述絕緣層112的上表面上形成保護(hù)層120,該保護(hù)層120將所述絕緣層112的上表面以及形成于所述絕緣層112的上表面上的上述半導(dǎo)體層113、漏極114和源極115一同覆蓋。
三、使用有機(jī)光阻材料在所述保護(hù)層120的上表面上形成平坦化層130。
四、使用光罩140蓋住所述平坦化層130的上表面,然后對(duì)所述光罩140的上表面進(jìn)行曝光。在曝光過程中,所述平坦化層130的被光罩140覆蓋的部分不會(huì)受到影響,對(duì)應(yīng)于所述光罩140上的開孔的部分則會(huì)在光照下變性。例如,圖1所示的所述光罩140上設(shè)有開孔141,因此在曝光時(shí),所述平坦化層130正對(duì)所述開孔141的部分會(huì)受到光線照射而變性,從而可以被后續(xù)的蝕刻制程移除;其他部分則保持原有的化學(xué)性質(zhì),不會(huì)被后續(xù)的蝕刻制程移除。該曝光過程的目的是為了形成從上述漏極114或源極115引出配線的引線孔,因此在將所述光罩140蓋在所述平坦化層130上時(shí),所述開孔141應(yīng)該垂直地對(duì)準(zhǔn)所述漏極114或源極115。圖1的例子中,所述開孔141是對(duì)準(zhǔn)所述源極115。
五、曝光后,對(duì)所述平坦化層130進(jìn)行光阻顯影。在該光阻顯影的過程中,所述平坦化層130正對(duì)所述開孔141的部分由于化學(xué)性質(zhì)在光照下發(fā)生了改變,因此會(huì)被蝕刻藥劑溶解及移除。所述平坦化層130的其他部分并未受到光線照射,因此不會(huì)被蝕刻藥劑溶解,仍然覆蓋在所述保護(hù)層120上方。這樣,就在所述平坦化層130上形成了與所述光罩140的開孔141相對(duì)準(zhǔn),也就是垂直地對(duì)準(zhǔn)所述源極115的連通孔150。所述保護(hù)層120的一部分從所述連通孔150底部暴露出來。
六、在所述平坦化層130上形成上述連通孔后,進(jìn)行蝕刻,將所述保護(hù)層120通過所述連通孔150暴露出來的部分去除,在所述保護(hù)層120上形成和所述連通孔150相通的引線孔160,所述源極115通過所述連通孔150和所述引線孔160部分地暴露出來。這樣,從所述源極115引出的配線(圖未示)即可通過所述連通孔150和所述引線孔160與外界的其他電子元件建立電性連接,使所述薄膜晶體管發(fā)揮功能。
七、在剩余的所述平坦化層130的上表面上涂上框膠,即可利用框膠的粘性將薄膜晶體管陣列基板與彩色濾光基板貼合,同時(shí)將所述薄膜晶體管封裝在基板主體110與彩色濾光基板之間。
但是,在現(xiàn)有技術(shù)中,框膠與構(gòu)成平坦化層130的有機(jī)光阻材料之間的粘合力一般較差,難以取得足夠牢固的粘接效果。因此,當(dāng)采用上述方法制造的薄膜晶體管陣列基板被用于制造薄膜晶體管顯示面板時(shí),經(jīng)常會(huì)由于粘接不牢而導(dǎo)致薄膜晶體管陣列基板與彩色濾光基板之間出現(xiàn)縫隙甚至完全脫離,對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量造成很大影響。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述狀況,有必要提供一種具有更好的框膠粘合效果,便于組裝,有利于提高產(chǎn)品良率的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法,該方法包括以下步驟:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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