[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201410063274.5
• 申請日: 2014-02-25
• 公開（公告）號: CN104465792A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 森塚宏平
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/868;H01L29/06
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐冰冰;劉杰

1.一種半導體裝置，具備：

第一電極；

第二電極；

第一導電型的第一半導體層，設置于上述第一電極與上述第二電極之間，具有硅碳化物；

第一導電型的第二半導體層，設置于上述第一半導體層與上述第二電極之間，雜質濃度比上述第一半導體層低，具有硅碳化物；

第二導電型的第三半導體層，設置于上述第二半導體層與上述第二電極之間，具有硅碳化物；以及

多個絕緣層，設置于上述第三半導體層與上述第二電極之間。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述第三半導體層的厚度與在上述第三半導體層內流動的電子的擴散長度相同、或比上述擴散長度薄。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述第三半導體層的厚度為1μm以下。

4.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，

上述第三半導體層的厚度為1μm以下。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述第二電極在上述多個絕緣層各自之間延伸，延伸的上述第二電極與上述第三半導體層相接。

6.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，

上述第二電極在上述多個絕緣層各自之間延伸，延伸的上述第二電極與上述第三半導體層相接。

7.如權利要求3所述的半導體裝置，其中，

上述第二電極在上述多個絕緣層各自之間延伸，延伸的上述第二電極與上述第三半導體層相接。

8.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

在相對從上述第一電極側到上述第二電極側的方向交叉的方向上，

上述多個絕緣層各自的寬度變化。

9.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，

在相對從上述第一電極側到上述第二電極側的方向交叉的方向上，

上述多個絕緣層各自的寬度變化。

10.如權利要求3所述的半導體裝置，其中，

在相對從上述第一電極側到上述第二電極側的方向交叉的方向上，

上述多個絕緣層各自的寬度變化。

11.如權利要求5所述的半導體裝置，其中，

在相對從上述第一電極側到上述第二電極側的方向交叉的方向上，

上述多個絕緣層各自的寬度變化。

12.如權利要求11所述的半導體裝置，其中，

在上述方向上，

從元件中心部朝向元件周邊部，上述多個絕緣層的寬度變窄。

13.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述第三半導體層的雜質濃度，例如為1×10¹⁸～1×10¹⁹atoms/cm³。