[發(fā)明專利]固體攝像裝置以及固體攝像裝置的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410063255.2 | 申請日: | 2014-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN104347650A | 公開(公告)日: | 2015-02-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 成瀨純次;田中長孝 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐冰冰;劉杰 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固體 攝像 裝置 以及 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實施方式涉及固體攝像裝置以及固體攝像裝置的制造方法。
背景技術(shù)
以往,固體攝像裝置具備與攝像圖像的各像素對應(yīng)設(shè)置的多個光電轉(zhuǎn)換元件。各光電轉(zhuǎn)換元件將入射光光電轉(zhuǎn)換成與受光強度相應(yīng)的量的電荷并存儲于電荷存儲區(qū)域。并且,在固體攝像裝置中,通過從各光電轉(zhuǎn)換元件的電荷存儲區(qū)域讀出電荷來進行攝像。
在這種固體攝像裝置中,各光電轉(zhuǎn)換元件的微細化在進展,與此相伴,存在各光電轉(zhuǎn)換元件的受光面積縮小的傾向。因此,為了利用被限定的受光面積取入更多的光,優(yōu)選提高光電轉(zhuǎn)換元件的受光效率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的課題在于提供一種能夠提高光電轉(zhuǎn)換元件的受光效率的固體攝像裝置以及固體攝像裝置的制造方法。
一個實施方式的固體攝像裝置的特征為,具備:光電轉(zhuǎn)換元件,與多個色光的各個對應(yīng)地設(shè)置;第一反射防止膜,設(shè)置于上述光電轉(zhuǎn)換元件的受光面?zhèn)?;中間膜,設(shè)置于上述第一反射防止膜的受光面?zhèn)龋灰约暗诙瓷浞乐鼓ぃO(shè)置于上述中間膜的受光面?zhèn)?,上述第一反射防止膜、上述中間膜以及上述第二反射防止膜中的至少一個針對受光的每個色光而膜厚不同。
另一實施方式的固體攝像裝置的特征為,具備:光電轉(zhuǎn)換元件,與多個色光的各個對應(yīng)地設(shè)置;第一反射防止膜,設(shè)置于上述光電轉(zhuǎn)換元件的受光面?zhèn)龋恢虚g膜,設(shè)置于上述第一反射防止膜的受光面?zhèn)?;以及第二反射防止膜,設(shè)置于上述中間膜的受光面?zhèn)?,上述第二反射防止膜設(shè)置于除了受光上述多個色光中的預(yù)定的色光的區(qū)域之外的區(qū)域。
再一實施方式的固體像裝置的制造方法的特征為,包括:與多個色光的各個對應(yīng)地形成光電轉(zhuǎn)換元件,在上述光電轉(zhuǎn)換元件的受光面?zhèn)刃纬傻谝环瓷浞乐鼓ぃ谏鲜龅谝环瓷浞乐鼓さ氖芄饷鎮(zhèn)刃纬芍虚g膜,在上述中間膜的受光面?zhèn)刃纬傻诙瓷浞乐鼓?,將上述第一反射防止膜、上述中間膜以及上述第二反射防止膜中的至少一個形成為針對受光的每個色光而膜厚不同。
發(fā)明效果
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的固體攝像裝置以及固體攝像裝置的制造方法,能夠提高光電轉(zhuǎn)換元件的受光效率。
附圖說明
圖1是示出具備第一實施方式所涉及的固體攝像裝置的數(shù)碼照相機的概要結(jié)構(gòu)的框圖。
圖2是示出第一實施方式所涉及的固體攝像裝置的概要結(jié)構(gòu)的框圖。
圖3是示出第一實施方式所涉及的像素陣列的結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。
圖4是第一實施方式所涉及的像素陣列的概略剖面圖。
圖5是示出第一實施方式所涉及的光電轉(zhuǎn)換元件所受光的色光的波長與硅界面處的色光的透射率的關(guān)系的實驗結(jié)果的圖表。
圖6A是示出第一實施方式所涉及的固體攝像裝置的制造工序的剖面示意圖。
圖6B是示出第一實施方式所涉及的固體攝像裝置的制造工序的剖面示意圖。
圖6C是示出第一實施方式所涉及的固體攝像裝置的制造工序的剖面示意圖。
圖6D是示出第一實施方式所涉及的固體攝像裝置的制造工序的剖面示意圖。
圖7是第二實施方式所涉及的像素陣列的概略剖面圖。
圖8是第三實施方式所涉及的像素陣列的概略剖面圖。
標記說明
1數(shù)碼照相機、11照相機模塊、14固體攝像裝置、20圖像傳感器、23像素陣列、31半導體基板、32光電轉(zhuǎn)換元件、33絕緣膜、34第一反射防止膜、35中間膜、36第二反射防止膜、37多層配線層、38R、38G、38B濾色器、39:微透鏡
具體實施方式
以下,參照附圖對實施方式所涉及的固體攝像裝置以及固體攝像裝置的制造方法進行詳細說明。另外,本發(fā)明并不受到這些實施方式限定。
(第一實施方式)
圖1是示出具備第一實施方式所涉及的固體攝像裝置14的數(shù)碼照相機1的概要結(jié)構(gòu)的框圖。如圖1所示,數(shù)碼照相機1具備照相機模塊11和后級處理部12。
照相機模塊11具備攝像光學系統(tǒng)13和固體攝像裝置14。攝像光學系統(tǒng)13取入來自被攝體的光,而成像被攝體像。固體攝像裝置14對由攝像光學系統(tǒng)13成像的被攝體像進行攝像,并將通過攝像而獲得的圖像信號朝后級處理部12輸出。這種照相機模塊11除了應(yīng)用于數(shù)碼照相機1以外,例如還可以應(yīng)用于帶照相機的便攜式終端等的電子設(shè)備。
后級處理部12具備ISP(Image?Signal?Processor)15、存儲部16以及顯示部17。ISP15進行從固體攝像裝置14輸入的圖像信號的信號處理。這種ISP15例如進行噪音除去處理、缺陷像素校正處理、析像度轉(zhuǎn)換處理等的高畫質(zhì)化處理。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





