[發明專利]一種多晶片系統

在審

• 申請號: 201410062792.5
• 申請日: 2014-02-24
• 公開（公告）號: CN104867914A
• 公開（公告）日: 2015-08-26
• 發明（設計）人: 謝源
• 申請（專利權）人: 超威半導體公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L27/02
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種多芯片系統，該系統包括多個豎直堆疊并通過硅穿孔連接件電連接的芯片層，其中所述多個芯片層中的至少一個包括單個電壓域。

2.根據權利要求1所述的多芯片系統，其中所述系統包括至少兩個芯片層，該兩個芯片層中的每一個被配置成在不同的單個電壓域下運行，還包括在至少這兩個芯片層之間的電平轉換器，以用于轉換芯片層之間的信號。

3.根據權利要求2所述的多芯片系統，其中所述多個芯片層的每一個包括單個電壓域。

4.根據權利要求3所述的多芯片系統，其中所述電平轉換器中的至少一個是同步的。

5.根據權利要求3所述的多芯片系統，其中所述電平轉換器中的至少一個是異步的。

6.根據權利要求4所述的多芯片系統，其中所述電平轉換器中的至少一個包括在多于一個芯片層上的晶體管。

7.根據權利要求5所述的多芯片系統，其中所述電平轉換器中的至少一個包括在多于一個芯片層上的晶體管。

8.根據權利要求1-7中任一項所述的多芯片系統，其中所述多個芯片層中的至少一個包括單個技術節點。

9.根據權利要求8所述的多芯片系統，其中所述多個芯片層中的至少第一芯片層包括單個技術節點，第二芯片成包括單個技術節點，并且所述第一和第二芯片層的技術節點是不同的。

10.根據權利要求1-7中任一項所述的多芯片系統，其中所述多芯片系統包括模擬電路和數字電路，所述模擬電路被包括在該多芯片系統的一個芯片層內，而所述數字電路被包括在另一個不同的芯片層內，并且包括所述模擬電路的芯片層比包括所述數字電路的芯片層具有更高的電壓域。

11.一種在多芯片系統中配置電壓域的方法。該多芯片系統包括多個豎直堆疊并通過硅穿孔連接件電連接的芯片層，該方法包括將所述多個芯片層中的至少一個配置成具有單個電壓域。

12.根據權利要求11所述的方法，進一步包括將所述多個芯片層中的至少兩個芯片層配置為在彼此不同的電壓下運行，并且在該至少兩個芯片層之間配置電平轉換器以轉換芯片層之間的信號的電平。

13.根據權利要求12所述的方法，進一步包括將所述多個芯片層中的每一個配置成具有單個電壓域。

14.根據權利要求13所述的方法，進一步包括將所述多個芯片層中的至少一個配置成具有單個技術節點。

15.根據權利要求13所述的方法，進一步包括將所述多芯片系統中的電路的模擬部分配置在一個芯片層內，將所述多芯片系統中的電路的數字部分配置在另一個不同的芯片層內，該不同的芯片層的電壓域低于所述配置有所述模擬部分的所述芯片層。