[發明專利]一種有源矩陣有機發光二極體面板及其封裝方法

有效

• 申請號: 201410062714.5
• 申請日: 2014-02-24
• 公開（公告）號: CN103794637A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 鄧學易;翟宏峰;王演隆;謝博鈞
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 趙根喜;李昕巍

1.一種有源矩陣有機發光二極體面板，其特征在于，包括：

基板；

多個薄膜場效應晶體管，所述多個薄膜場效應晶體管彼此間隔地設置于所述基板上；

蓋板，所述蓋板的朝向所述基板的表面形成有與所述多個薄膜場效應晶體管相對應的多個凹槽、以及位于相鄰凹槽之間的多個間隔部，所述蓋板蓋于所述基板以及所述薄膜場效應晶體管的上方，各所述薄膜場效應晶體管均位于對應的所述凹槽中，且所述多個間隔部分別位于相鄰的薄膜場效應晶體管之間；以及

封接層，所述封接層連接于所述間隔部與所述基板之間。

2.根據權利要求1所述的有源矩陣有機發光二極體面板，其特征在于，所述封接層由激光吸收材料經激光燒結而成。

3.根據權利要求2所述的有源矩陣有機發光二極體面板，其特征在于，所述激光吸收材料為氧化硼、氧化鋁、氧化鎂、氧化鈣、氧化鋇、氧化鈦、氧化鈰、氧化鉬、氧化釤、氧化鐿或氧化錫。

4.根據權利要求1、2或3所述的有源矩陣有機發光二極體面板，其特征在于，所述凹槽的縱截面形狀為矩形。

5.根據權利要求1所述的有源矩陣有機發光二極體面板，其特征在于，所述封接層的厚度小于等于6μm。

6.根據權利要求5所述的有源矩陣有機發光二極體面板，其特征在于，所述凹槽的深度小于等于10μm。

7.根據權利要求1、5或6所述的有源矩陣有機發光二極體面板，其特征在于，所述間隔部的寬度小于等于3mm。

8.根據權利要求1、2、3、5或6所述的有源矩陣有機發光二極體面板，其特征在于，所述蓋板和所述基板由玻璃材料制成。

9.一種有源矩陣有機發光二極體面板的封裝方法，其特征在于，包括：

提供一基板，所述基板上設有彼此間隔的多個薄膜場效應晶體管；

將封接材料涂布于一蓋板的表面；

通過曝光顯影蝕刻，去除涂布于所述蓋板表面的部分封接材料，且于所述蓋板去除所述封接材料的位置處刻蝕出與所述多個薄膜場效應晶體管對應的凹槽，其中，所述多個凹槽之間形成多個間隔部；

將上述蓋板貼合于所述基板上，使所述多個薄膜場效應晶體管對應地位于所述多個凹槽內，所述多個間隔部分別位于相鄰的薄膜場效應晶體管之間；

對所述多個間隔部與所述基板之間的封接材料進行封接處理。

10.根據權利要求9所述的封裝方法，其特征在于，所述曝光顯影蝕刻的步驟包括：

將光阻涂布于所述蓋板上的封接材料的表面；

利用具有所需圖案的光罩，對光阻進行曝光、顯影；

蝕刻未被所述光阻遮擋的封接材料，直至露出所述蓋板的表面；

蝕刻所述蓋板的露出表面，形成所述多個凹槽和所述多個間隔部。

11.根據權利要求10所述的封裝方法，其特征在于，所述光阻為正光阻。

12.根據權利要求9或10所述的封裝方法，其特征在于，所述封接材料為激光吸收材料，所述封接處理為激光燒結。

13.根據權利要求12所述的封裝方法，其特征在于，所述激光吸收材料為氧化硼、氧化鋁、氧化鎂、氧化鈣、氧化鋇、氧化鈦、氧化鈰、氧化鉬、氧化釤、氧化鐿或氧化錫。

14.根據權利要求12所述的封裝方法，其特征在于，所述激光燒結包括如下步驟：

在所述基板和所述蓋板對位之后，利用激光以設定好的燒結路徑將所述多個間隔部上的激光吸收材料經激光燒結形成封接層，使所述蓋板的間隔部與所述基板固定連接。

15.根據權利要求9至11中任一項所述的封裝方法，其特征在于，所述曝光顯影刻蝕的步驟之前還包括對涂布于所述蓋板表面的所述封接材料進行烘烤的步驟。