[發明專利]一種高矯頑力納米晶熱壓磁體及其制備方法有效
| 申請號: | 201410062176.X | 申請日: | 2014-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN104867645B | 公開(公告)日: | 2018-06-12 |
| 發明(設計)人: | 蔡嶺文;閆阿儒;郭帥;陳仁杰;嚴長江;李東 | 申請(專利權)人: | 中國科學院寧波材料技術與工程研究所 |
| 主分類號: | H01F7/02 | 分類號: | H01F7/02;H01F1/057;H01F41/02;B22F3/02 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱壓 納米晶 高矯頑力 制備 合金 擴散熱處理 溫度穩定性 真空熱處理 表面光潔 稀土合金 矯頑力 切割 | ||
本發明公開了一種高矯頑力納米晶熱壓磁體及其制備方法,通式為REaMbFecBd,采用REiMj合金的粉末包裹表面光潔的通式為REeMfFegBh的HDDR納米晶熱壓磁體,經真空熱處理1?5小時得到合金,進行切割得到所述的磁體,其中,RE、M、a、b、c、d、e、f、g、h、i和j的定義如說明書和權利要求書所述。本發明利用稀土合金化合物對HDDR熱壓磁體進行擴散熱處理,提高了該種磁體的矯頑力,使其具有較好的溫度穩定性,得到的磁體還具有一定各向異性。
技術領域
本發明涉及材料制造領域,尤其涉及一種納米晶熱壓磁體及其制備方法。
背景技術
釹鐵硼磁體由于其優異的磁性能,包括高矯頑力,高剩磁和高磁能積,在信息通訊、醫療設備、交通運輸、儀器儀表等方面有著廣泛的用途,成為促進各種高新技術與新興產業發展以及社會進步的重要物質基礎之一。
HDDR(hydrogenation-disproportionation-desorption-recombination,簡稱HDDR工藝是一種制備納米晶釹鐵硼各向異性磁粉的方法,通過熱壓工藝能獲得具有優異磁性能的各向異性磁體,其具有良好的抗腐蝕性、熱穩定性和力學性能,并可加工成精確尺寸,在信息、通訊、計算機等領域有著廣闊的利用前景。
由于用于熱壓的HDDR磁粉的晶粒約為300納米,接近于釹鐵硼的單疇尺寸,根據理論研究,該種尺寸的釹鐵硼晶粒應具有較高的矯頑力。已有研究表明,HDDR磁粉的晶界相較為缺失,直接導致相鄰晶粒間發生磁耦合作用,從而使磁粉的矯頑力沒有達到理論預期。因此,HDDR納米晶熱壓磁體的矯頑力也處于較低的水平,影響了其溫度穩定性,使得該種納米晶磁體的應用范圍受到限制。
因此,本領域需要提供一種具有高矯頑力、具有較佳的溫度穩定性的HDDR納米晶熱壓磁體及其制備方法。
發明內容
本發明的目的在于提供一種具有高矯頑力、具有較佳的溫度穩定性的HDDR納米晶熱壓磁體及其制備方法。
本發明的第一方面,提供一種磁體,所述磁體的通式為REaMbFecBd,其中,
RE為Pr、Nd、Tb或Dy的一種或兩種以上;
M為Cu、Ga、Al、Nb或Co中的一種或兩種以上;
28≤a≤32;
0<b<7.3;
0<d<1.1;
c=100-a-b-d。
在另一優選例中,所述磁體的晶粒尺寸為250納米至700納米。本發明中,采用掃描電子顯微鏡觀察磁體,選取其中25個晶粒測量粒徑,取平均值的得到晶粒尺寸。
在另一優選例中,28≤a≤32;4<b<7.3;0.5<d<1.1;c=100-a-b-d。
在另一優選例中,30≤a≤32;6<b<7.3;0.7<d<1.1;c=100-a-b-d。
在另一優選例中,HDDR納米晶熱壓磁體呈一定各向異性特征。
本發明的第二方面,提供第一方面所述的磁體的制備方法,所述方法包括如下步驟:
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