[發(fā)明專利]一種鍍膜方法、鍍膜裝置和鍍膜生成系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410062173.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-02-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103866260B | 公開(公告)日: | 2017-01-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 艾青南;潘夢(mèng)霄;周賀;李躍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/00 | 分類號(hào): | C23C16/00;G01B11/06 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,陳源 |
| 地址: | 100176 北*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 鍍膜 方法 裝置 生成 系統(tǒng) | ||
1.一種鍍膜方法,對(duì)置于鍍膜腔室內(nèi)載臺(tái)上的待鍍基板進(jìn)行鍍膜,其特征在于,所述方法包括:采集所述腔室內(nèi)壁上的鍍膜厚度數(shù)據(jù);對(duì)所述鍍膜厚度數(shù)據(jù)進(jìn)行處理,以獲取所述腔室內(nèi)壁上的膜層的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜方法,其特征在于,所述腔室內(nèi)環(huán)繞所述載臺(tái)的內(nèi)壁上設(shè)置有遮擋板,所述遮擋板上表面設(shè)置有采樣塊;所述采集所述腔室內(nèi)壁上的鍍膜厚度數(shù)據(jù)包括:采用光反射法采集所述遮擋板上表面的采樣塊的所述鍍膜厚度數(shù)據(jù),具體包括:光線照射到所述遮擋板上;采集從所述采樣塊上反射回來的光線;對(duì)反射光線進(jìn)行分光并獲取反射光譜;將所述反射光譜轉(zhuǎn)換為模擬電信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍍膜方法,其特征在于,所述對(duì)所述鍍膜厚度數(shù)據(jù)進(jìn)行處理,以獲取所述腔室內(nèi)壁上的膜層的厚度包括:將所述模擬電信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字電信號(hào);根據(jù)所述數(shù)字電信號(hào)計(jì)算獲得所述膜層的厚度。
4.一種鍍膜裝置,用于對(duì)待鍍基板進(jìn)行鍍膜,所述鍍膜裝置包括腔室,所述腔室的底部設(shè)置有用于承載所述待鍍基板的載臺(tái),其特征在于,所述鍍膜裝置還包括膜厚測(cè)量機(jī)構(gòu),所述膜厚測(cè)量機(jī)構(gòu)包括測(cè)量單元和處理單元,所述測(cè)量單元與所述腔室相連,所述測(cè)量單元用于采集所述腔室內(nèi)壁上的鍍膜厚度數(shù)據(jù),所述鍍膜厚度數(shù)據(jù)傳送至所述處理單元,并經(jīng)所述處理單元處理以獲取所述腔室內(nèi)壁上膜層的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鍍膜裝置,其特征在于,所述腔室環(huán)繞所述載臺(tái)的內(nèi)壁上設(shè)置有遮擋板,所述遮擋板上表面設(shè)置有采樣塊,所述測(cè)量單元包括光源、分光元件和光采集模塊;所述分光元件與所述采樣塊相對(duì)設(shè)置,所述光源發(fā)出的光線通過所述分光元件照射到所述采樣塊上;所述分光元件用于將從所述采樣塊反射回來的光線進(jìn)行分光并獲得反射光譜;所述光采集模塊用于采集所述反射光譜,并將所述反射光譜轉(zhuǎn)換為模擬電信號(hào);所述處理單元用于對(duì)所述模擬電信號(hào)進(jìn)行處理以獲得所述膜層的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍膜裝置,其特征在于,所述采樣塊采用透明玻璃制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍膜裝置,其特征在于,所述分光元件與所述光采集模塊連接為一體,所述分光元件貫穿于所述腔室側(cè)壁中且所述分光元件的自由端延伸至所述腔室內(nèi),所述分光元件的光線透出面設(shè)置在所述自由端的端部,所述光線透出面與所述采樣塊的上表面平行且相對(duì);所述分光元件貫穿于所述腔室側(cè)壁中的殼體與所述腔室側(cè)壁密封結(jié)合。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鍍膜裝置,其特征在于,所述處理單元包括模/數(shù)轉(zhuǎn)換模塊和計(jì)算模塊,所述模/數(shù)轉(zhuǎn)換模塊分別與所述光采集模塊和所述計(jì)算模塊電連接,所述模/數(shù)轉(zhuǎn)換模塊用于將所述模擬電信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字電信號(hào);所述計(jì)算模塊用于根據(jù)所述數(shù)字電信號(hào)計(jì)算獲得所述膜層的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鍍膜裝置,其特征在于,所述鍍膜裝置還包括控制模塊和清潔機(jī)構(gòu),所述清潔機(jī)構(gòu)設(shè)置在所述腔室的入口處,所述控制模塊和所述清潔機(jī)構(gòu)與所述計(jì)算模塊電連接,所述控制模塊用于根據(jù)所述計(jì)算模塊計(jì)算獲得的所述膜層的厚度,控制所述清潔機(jī)構(gòu)的啟動(dòng)或關(guān)閉。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鍍膜裝置,其特征在于,所述計(jì)算模塊中預(yù)設(shè)有參考厚度值和極限厚度值,當(dāng)所述計(jì)算模塊計(jì)算獲得的所述膜層的厚度大于等于所述參考厚度值時(shí),則所述控制模塊控制所述清潔機(jī)構(gòu)作業(yè);其中,所述參考厚度值小于所述腔室內(nèi)壁上膜層的所述極限厚度值。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的鍍膜裝置,其特征在于,所述測(cè)量單元用于在所述鍍膜裝置完成一次鍍膜程序、且所述腔室內(nèi)無所述待鍍基板時(shí)采集所述腔室內(nèi)壁上的所述鍍膜厚度數(shù)據(jù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的鍍膜裝置,其特征在于,所述鍍膜裝置還包括提醒模塊和檢測(cè)模塊,所述檢測(cè)模塊設(shè)置在所述腔室內(nèi),所述提醒模塊和所述檢測(cè)模塊與所述控制模塊電連接;所述檢測(cè)模塊用于間隔一段時(shí)間檢測(cè)所述腔室內(nèi)壁上是否清潔完畢,所述控制模塊還用于根據(jù)所述檢測(cè)模塊的檢測(cè)結(jié)果,控制所述提醒模塊的啟動(dòng)或關(guān)閉。
13.根據(jù)權(quán)利要求5-12任意一項(xiàng)所述的鍍膜裝置,其特征在于,所述測(cè)量單元還包括波長(zhǎng)過濾元件,所述波長(zhǎng)過濾元件設(shè)置在所述光源與所述分光元件之間,所述波長(zhǎng)過濾元件用于將所述光源發(fā)出的光線過濾為不同波長(zhǎng)的光;所述遮擋板與所述載臺(tái)的頂面平行。
14.一種鍍膜生成系統(tǒng),其特征在于,包括權(quán)利要求4-13任意一項(xiàng)所述的鍍膜裝置。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
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