[發明專利]一種干法制備納米線陣列氣敏元件的方法有效
| 申請號： | 201410062021.6 | 申請日： | 2014-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN103868951A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發明（設計）人： | 岳雙林 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | G01N27/00 | 分類號： | G01N27/00;B82Y40/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 俞達成 |
| 地址： | 100871 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 法制 納米 陣列 元件 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種干法制備納米線陣列氣敏元件的方法，其步驟為：
1）在基片上制備一梳齒狀電極陣列；
2）從所述梳齒狀電極陣列中分離出一個電極單元基片；
3）將分離出的所述電極單元基片的電極所在面貼到生長有納米線薄膜的基片上，然后沿垂直于電極單元梳齒方向推壓所述電極單元基片，將納米線粘附到所述電極單元基片上，得到納米線陣列氣敏元件。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于制備所述梳齒狀電極陣列的方法為：首先在SiO2/Si基片上旋涂光刻膠后曝光制備一梳齒狀圖形陣列；然后依次制備金屬粘附層和金屬層，剝離光刻膠，得到所述梳齒狀電極陣列。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于所述金屬粘附層為Ti薄膜；所述金屬層為Pt金屬層。
4.如權利要求2或3所述的方法，其特征在于所述金屬粘附層厚度為5nm；所述金屬層厚度為45nm。
5.如權利要求3所述的方法，其特征在于所述納米線薄膜為氧化銦納米線薄膜。
6.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于所述步驟2）的實現方法為：首先在所述梳齒狀電極陣列相鄰兩個電極單元的邊緣中間部位用金剛刀劃一痕跡；然后利用所述梳齒狀電極陣列所在基片的硅襯底晶格取向施力，使相鄰電極單元分開，得到所述電極單元基片。
7.如權利要求1或2或3所述的方法，其特征在于所述梳齒狀電極陣列的陣列單元間距3mm，梳齒狀電極的線寬/間距為1μm/9μm，線長為500μm。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京大學，未經北京大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410062021.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種檢測氣體樣品中NOX的方法
- 下一篇：一種發動機液壓懸置的限位結構
